[發明專利]棒控系統的電流調節仿真方法、裝置、設備及介質

在審

• 申請號: 202210695934.6
• 申請日: 2022-06-20
• 公開（公告）號: CN115032887A
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 張涵新;成玉豐;聶森;蔡振東;劉愛青;楊帆
• 申請（專利權）人: 山東核電有限公司;國核自儀系統工程有限公司
• 主分類號: G05B11/42
• 分類號: G05B11/42
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 李禮

1.一種棒控系統的電流調節仿真方法，其特征在于，包括：

根據預建立的可控硅整流仿真模型，獲取初始控制棒驅動機構CRDM線圈電流信號；

響應于用戶對模板電流參數的設置指令，獲取模板電流參數，并根據所述模板電流參數，獲取模板電流信號；

根據所述初始CRDM線圈電流信號和所述模板電流信號，對初始閉環控制仿真模型的模型參數進行更新，以獲取目標閉環控制仿真模型；

根據所述目標閉環控制仿真模型和所述初始CRDM線圈電流信號，獲取目標CRDM線圈電流信號。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在獲取目標CRDM線圈電流信號之后，還包括：

響應于用戶對凹坑參數的設置指令，獲取凹坑參數；

根據所述凹坑參數和所述目標CRDM線圈電流信號，獲取模擬CRDM線圈電流信號，并對所述模擬CRDM線圈電流信號進行可視化展示。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在根據所述凹坑參數和所述目標CRDM線圈電流信號，獲取模擬CRDM線圈電流信號之后，還包括：

獲取所述目標閉環控制仿真模型對應的模型參數，并生成所述目標閉環控制仿真模型對應的模型參數、所述凹坑參數與所述模擬CRDM線圈電流信號之間的映射關系存儲至本地數據庫。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述初始CRDM線圈電流信號和所述模板電流信號，對初始閉環控制仿真模型的模型參數進行更新，以獲取目標閉環控制仿真模型，包括：

根據所述初始CRDM線圈電流信號和所述模板電流信號，獲取第一電流差信號，并判斷所述第一電流差信號的幅值是否小于或者等于預設幅值閾值；

若否，則基于預設參數調整步長對所述初始閉環控制仿真模型的模型參數進行更新，以獲取中間閉環控制仿真模型；

根據所述初始CRDM線圈電流信號和所述中間閉環控制仿真模型，獲取中間CRDM線圈電流信號；

根據所述中間CRDM線圈電流信號和所述模板電流信號，獲取第二電流差信號；

若檢測到所述第二電流差信號的幅值小于或者等于預設幅值閾值，則將所述中間閉環控制仿真模型確定為目標閉環控制仿真模型。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，響應于用戶對模板電流參數的設置指令，獲取模板電流參數，包括：

響應于用戶對模板電流參數的設置指令，向所述用戶展示預設模板電流參數設置頁面；

其中，所述預設模板電流參數設置頁面包括預設數量的橫坐標選項和對應的縱坐標選項；

當檢測到用戶對所述預設模板電流參數設置頁面中確定按鈕的選擇指令時，獲取用戶設置的各所述橫坐標選項匹配的橫坐標參數，以及各所述縱坐標選項匹配的縱坐標參數；

根據各所述橫坐標選項匹配的橫坐標參數，以及各所述縱坐標選項匹配的縱坐標參數，獲取模板電流參數。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在根據預建立的可控硅整流仿真模型，獲取初始控制棒驅動機構CRDM線圈電流信號之前，還包括：

基于公式建立可控硅整流仿真模型，其中，E表示線電壓，α表示觸發角，V_coil表示CRDM線圈電壓。

7.根據權利要求2或者3所述的方法，其特征在于，所述凹坑參數包括凹坑起始時間、凹坑寬度、凹坑高度和凹坑轉折時間中的至少一項。

8.一種棒控系統的電流調節仿真裝置，其特征在于，包括：

線圈電流信號獲取模塊，用于據預建立的可控硅整流仿真模型，獲取初始控制棒驅動機構CRDM線圈電流信號；

模板電流信號獲取模塊，用于響應于用戶對模板電流參數的設置指令，獲取模板電流參數，并根據所述模板電流參數，獲取模板電流信號；

目標閉環控制仿真模型獲取模塊，用于根據所述初始CRDM線圈電流信號和所述模板電流信號，對初始閉環控制仿真模型的模型參數進行更新，以獲取目標閉環控制仿真模型；

目標CRDM線圈電流信號獲取模塊，用于根據所述目標閉環控制仿真模型和所述初始CRDM線圈電流信號，獲取目標CRDM線圈電流信號。