[發明專利]一種高功率白光光源制備方法以及高功率白光光源

在審

• 申請號: 202210685240.4
• 申請日: 2022-06-14
• 公開（公告）號: CN115020574A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 李鋒;吉愛華;洪燕;張仁樹
• 申請（專利權）人: 深圳市光脈電子有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市世聯合知識產權代理有限公司 44385
• 代理人: 劉暢

1.一種高功率白光光源制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

制備N型電極層以及襯底；

基于所述襯底的表面生長外延結構；

基于所述外延結構進行P型電極層以及藍光芯片的制作；

在所述P型電極層的表面并行生長紅光熒光層和藍綠光熒光層；所述紅光熒光層在所述P型電極層表面的占比為51％-90％，所述藍綠光熒光層在所述P型電極層表面的占比為10％-49％。

2.根據權利要求1所述的高功率白光光源制備方法，其特征在于，所述在所述P型電極層的表面并行生長紅光熒光層和藍綠光熒光層的步驟，具體包括：

將紅光熒光粉與膠材進行混合，得到紅光熒光膠；

將藍綠光熒光粉與膠材進行混合，得到藍綠光熒光膠；

將所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠涂布在所述P型電極層的表面上；

將涂布有所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠的所述藍光芯片，放入預熱后的熒光層生長設備中；

待所述紅光熒光膠和藍綠光熒光膠固于所述P型電極層表面后，關閉所述熒光層生長設備。

3.根據權利要求2所述的高功率白光光源制備方法，其特征在于，所述將涂布有所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠的所述藍光芯片，放入預熱后的熒光層生長設備中的步驟，具體包括：

預熱步驟：開啟所述熒光層生長設備進行預熱，并開始計時和獲取實時溫度，當計時時長達到第一設定時間，且實時溫度恒定在第一設定溫度時，將涂布有所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠的所述藍光芯片放入所述熒光層生長設備中；

固化步驟：將涂布有所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠的所述藍光芯片放入所述熒光層生長設備后，再次計時和獲取實時溫度，維持實時溫度恒定在第二設定溫度，當計時時長達到第二設定時間時，關閉所述熒光層生長設備，并取得表面生長有所述紅光熒光層或藍綠光熒光層的所述藍光芯片；

重復生長步驟：將藍綠光熒光膠或紅光熒光膠涂布在所述藍光芯片上，與所述藍光芯片上的所述紅光熒光層或藍綠光熒光層同層設置，放入所述熒光層生長設備，并依序重復所述預熱步驟和固化步驟，直至所述P型電極層表面并行生長有紅光熒光層和藍綠光熒光層。

4.根據權利要求2或3任一項所述的高功率白光光源制備方法，其特征在于，所述將所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠涂布在所述P型電極層的表面上的步驟，具體包括：

根據白光光源所需的顯色指數、亮度與光效，設計并加工印刷網版；

通過所述印刷網版，將所述紅光熒光膠或藍綠光熒光膠分別涂布在所述P型電極層的表面上。

5.根據權利要求1所述的高功率白光光源制備方法，其特征在于，所述基于所述襯底的表面生長外延結構的步驟，具體包括：

在所述襯底的表面依次向上生長氮化鎵鋁緩沖層、3D氮化鎵粗化層、U型氮化鎵晶格恢復層、N型氮化鎵電子有源層、氮化鎵銦/氮化鎵超晶格發光層、P型氮化鎵鋁電子阻擋層以及P型氮化鎵空穴有源層；

其中，所述氮化鎵銦/氮化鎵超晶格發光層包括按預設周期生長的勢阱層和勢壘層，每一個所述周期中的所述勢壘層為多段生長，且每段所述勢壘層的生長條件不同。