[發明專利]半導體裝置及功率放大器

在審

• 申請號: 202210684543.4
• 申請日: 2022-06-17
• 公開（公告）號: CN115498032A
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 黃皆智;林彥丞;林正國;王偉州;林哲楷
• 申請（專利權）人: 穩懋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;葉明川

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一襯底；

一溝道層，設置于所述襯底上，其中所述溝道層是以氮化鎵形成；

一阻擋層，設置于所述溝道層上，其中所述阻擋層是以氮化鋁鎵Al_zGa_1-zN形成；

一插入結構，插入于所述溝道層與所述阻擋層之間，包括

一第一插入層，設置于所述溝道層上，其中所述第一插入層是以氮化鋁鎵Al_xGa_1-xN形成；以及

一第二插入層，設置于所述第一插入層上，其中所述第二插入層是以氮化鋁鎵Al_yGa_1-yN形成，且y大于x；

一柵極電極，設置于所述阻擋層上；

一源極電極，設置于所述阻擋層上，且于所述柵極電極的一第一側；以及

一漏極電極，設置于所述阻擋層上，且于所述柵極電極的一第二側，所述第二側相對于所述柵極電極的所述第一側，其中于所述源極電極和所述漏極電極的至少一個之下形成一尖狀區。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，x符合：0.15≤x≤0.50。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，x介于0.15和0.18之間。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，x介于0.2和0.5之間。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，y符合：0.5≤y≤1。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，y＝1。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，z符合：0.18≤z≤0.50。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，x對z的比例介于0.5和1.5之間。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，x對z的比例等于1。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一插入層具有一第一厚度，所述第二插入層具有一第二厚度，且所述第二厚度對所述第一厚度的比例介于0.25和3之間。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一厚度介于和之間。

12.如權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二厚度介于和之間。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述尖狀區還包括：

一第一尖狀區，形成于所述源極電極之下；以及

一第二尖狀區，形成于所述漏極電極之下。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一尖狀區和所述第二尖狀區延伸穿過所述阻擋層和所述插入結構，且進入所述溝道層中。

15.如權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一尖狀區和所述第二尖狀區包括鈦。

16.如權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一尖狀區和所述第二尖狀區包括氮化鈦。

17.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

一緩沖層，設置于所述襯底和所述溝道層之間，其中所述緩沖層是以氮化鋁鎵Al_wGa_1-wN形成，且w符合：0≤w≤0.2。

18.如權利要求17所述的半導體裝置，其特征在于，所述尖狀區進一步延伸進入所述緩沖層中。