[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202210684489.3 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN114864651A | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發明(設計)人: | 梁玉姣;馬揚昭 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 汪莉萍 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括第一顯示區和第二顯示區,所述第二顯示區至少部分圍繞所述第一顯示區;
所述顯示面板還包括第一基板,所述第一基板包括第一襯底基板;
所述第一顯示區包括位于所述第一襯底基板上的多個有機發光元件;
所述第一顯示區包括第一子顯示區和第二子顯示區;
所述第一子顯示區包括多個第一子透光孔,在垂直于所述第一襯底基板所在平面的方向上,所述第一子透光孔與所述有機發光元件不交疊,且所述第一子透光孔為非矩形;
所述第二子顯示區包括多個第二子透光孔,在垂直于所述第一襯底基板所在平面的方向上,所述第二子透光孔與所述有機發光元件不交疊,且所述第二子透光孔為非矩形;
至少一個所述第一子透光孔的輪廓與至少一個所述第二子透光孔的輪廓不同。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,至少一個所述第一子透光孔的面積與至少一個所述第二子透光孔的面積相等。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子顯示區內單位面積內所述第一子透光孔的面積之和不等于所述第二子顯示區內單位面積內所述第一子透光孔的面積之和;
或者,所述第一子顯示區內單位面積內所述第二子透光孔的面積之和不等于所述第二子顯示區內單位面積內所述第二子透光孔的面積之和。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括位于所述第一顯示區,且位于所述第一襯底基板上的遮光層;所述遮光層中包括多個第一開口、多個第二開口和多個第三開口;
在垂直于所述第一襯底基板所在平面的方向上,所述有機發光元件與所述第一開口至少部分交疊;
所述第一子透光孔包括所述第二開口,所述第二子透光孔包括所述第三開口。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述遮光層包括黑色光阻以及黑色金屬中的一種或多種。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述有機發光元件包括位于所述第一襯底基板一側的陽極、位于所述陽極遠離所述第一襯底基板一側的發光層以及位于所述發光層遠離所述陽極的陰極;
所述遮光層位于所述陰極遠離所述第一襯底基板的一側。
7.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述有機發光元件包括位于所述第一襯底基板一側的陽極、位于所述陽極遠離所述第一襯底基板一側的發光層以及位于所述發光層遠離所述陽極的陰極;
所述陽極和所述遮光層同層設置。
8.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一顯示區還包括驅動電路,所述驅動電路與所述有機發光元件電連接;所述驅動電路包括薄膜晶體管和存儲電容;所述存儲電容包括第一極板和第二極板;所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極;所述有機發光元件包括陽極、發光層和陰極;
所述顯示面板包括位于第一襯底基板上的阻擋層、位于所述阻擋層遠離所述第一襯底基板一側的第一金屬層、位于所述第一金屬層遠離所述第一襯底基板一側的第二金屬層、位于所述第二金屬層遠離所述第一襯底基板一側的第三金屬層、位于所述第三金屬層遠離所述第一襯底基板一側的陽極層、位于所述陽極層遠離所述第一襯底基板一側的發光層以及位于所述發光層遠離所述第一襯底基板一側的陰極層;
所述阻擋層包括遮光部,所述遮光部位于所述薄膜晶體管的柵極靠近所述第一襯底基板的一側;
所述第一金屬層包括所述薄膜晶體管的柵極和所述存儲電容的第一極板;
所述第二金屬層包括所述存儲電容的第二極板;
所述第三金屬層包括所述薄膜晶體管的源極和漏極。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述阻擋層還包括所述遮光層。
10.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,還包括位于所述第三金屬層遠離所述第一襯底基板一側的第四金屬層;
所述第四金屬層包括所述遮光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





