[發明專利]一種同步整流器的有源緩沖吸收電路在審
| 申請號: | 202210678120.1 | 申請日: | 2022-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN115085526A | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 季松松 | 申請(專利權)人: | 捷蒽迪電子科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/34 | 分類號: | H02M1/34;H02M7/217;H02M1/08;H02M1/00 |
| 代理公司: | 國浩律師(南京)事務所 32284 | 代理人: | 孟睿 |
| 地址: | 201206 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 同步 整流器 有源 緩沖 吸收 電路 | ||
1.一種同步整流器的有源緩沖吸收電路,其特征在于,包括驅動單元和有源緩沖吸收單元;所述驅動單元用于控制有源緩沖吸收單元的工作,所述有源緩沖吸收單元用于吸收同步整流器關閉時造成的電壓尖峰;
所述有源緩沖吸收單元包括有源吸收管和有源吸收電容,在同步整流器關閉期間有源吸收管導通一段時間,使得有源吸收電容在該段時間內吸收同步整流器關閉時產生的尖峰電壓。
2.如權利要求1所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述同步整流器為功率MOSFET。
3.如權利要求1所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述驅動單元連接至變壓器T,驅動單元包括變壓器T的輔助線圈(Ws)、第二二極管(Ds)、電容(Cs)、三極管(Qs1)、第一電阻(Rs1)、第二電阻(Rs2)、第三電阻(Rs3);
所述輔助線圈(Ws)與第二二極管(Ds)的正極連接,第二二極管(Ds)的負極與第一電阻(Rs1)的一端連接,第一電阻(Rs1)的另一端連接至輔助線圈(Ws);
第二二極管(Ds)的負極還與電容(Cs)的一端連接,電容(Cs)的另一端同時與第二電阻(Rs2)的一端以及三極管(Qs1)的基極連接,第二電阻(Rs2)的另一端連接至輔助線圈(Ws);三極管(Qs1)的集電極與第二二極管(Ds)的負極連接,三極管(Qs1)的發射極與有源緩沖吸收單元連接。
4.如權利要求3所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述有源緩沖吸收單元耦接于同步整流器(Qs),包括有源吸收管(SW1)、第一二極管(Dw1)和有源吸收電容(Cw1);
所述有源吸收管(SW1)的集電極連接至驅動單元的三極管(Qs1)的發射極,有源吸收管(SW1)的發射極連接至變壓器T的輔助線圈(Ws),有源吸收管(SW1)的發射極和集電極之間還并聯第三電阻(Rs3);
有源吸收管(SW1)的集電極還同時連接至同步整流器Qs的漏極和第一二極管(Dw1)的正極,有源吸收管(SW1)的基極與第一二極管(Dw1)的負極連接后與有源吸收電容(Cw1)的一端連接,有源吸收電容(Cw1)的另一端連接同步整流器(Qs)的源極,同步整流器(Qs)的源極接地。
5.如權利要求4所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述同步整流器(Qs)的源極與變壓器T的二次側線圈(W1)相連接,同步整流器的漏極(Qs)接地。
6.如權利要求4所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述有源吸收管(SW1)為三極管或MOSFET。
7.如權利要求6所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述有源吸收管(SW1)為MOSFET時,第一二極管(DW1)為MOSFET中寄生的體二極管。
8.如權利要求5所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述同步整流器(Qs)關閉,輔助線圈(Ws)和二次側線圈(W1)的電壓為正,輔助線圈(Ws)通過第二二極管(Ds)和第二電阻(Rs2)對電容(Cs)充電,第二電阻(Rs2)上的電壓通過三極管(Qs1)后施加到有源吸收管(SW1)的柵極,有源吸收管(SW1)導通,有源吸收電容(Cw1)通過第一二極管(Dw1)吸收和存儲同步整流器(Qs)產生的尖峰電壓,再通過有源吸收管(SW1)將吸收和儲存的尖峰能量釋放回到同步整流器(Qs)上;
隨著電容(Cs)的充電,第二電阻(Rs2)上電壓逐漸降低至邏輯低電位,有源吸收管(SW1)也隨之關閉,有源吸收電容(Cw1)停止放電。
9.如權利要求8所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述有源吸收管(SW1)關閉的時間早于同步整流器(Qs)開通的時間。
10.如權利要求8所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,當有源吸收管(SW1)關閉,有源吸收電容(Cw1)停止放電后,輔助線圈(Ws)和二次側線圈(W1)的電壓由正轉負,電容(Cs)通過第一電阻(Rs1)、第二電阻(Rs2)放電,直至電容(Cs)上的電壓泄放至零。
11.如權利要求10所述的有源緩沖吸收電路,其特征在于,所述電容(Cs)上電壓在同步整流器(Qs)再次關斷前泄放至零。
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