[發明專利]一種半導體引線框架鍍銀缺陷檢測方法及系統

在審

• 申請號: 202210670243.0
• 申請日: 2022-06-14
• 公開（公告）號: CN115082392A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 鄧萬宇;張妍
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/10;G06V10/764;G06V10/82;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 西安新動力知識產權代理事務所(普通合伙) 61245
• 代理人: 劉強

1.一種半導體引線框架鍍銀缺陷檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、使用硬件平臺采集半導體引線框架鍍銀的源圖像，并且將采集到的源圖像由采集卡傳入到工控機中；

S2、工控機讀取源圖像，根據缺陷檢測模型要求的圖像類型，將源圖像切片構建原始圖像數據集X＝{x₁，x₂，…，x_i，…，x_n}，x_i是第i張圖像，n是原始圖像數據集的圖像總數；

S3、構建標簽圖像數據集S＝{s₁，s₂，…，s_i，…，s_n}，s_i表示第i張圖像對應的標簽圖像，n是標簽圖像數據集的圖像總數；

S4、構建缺陷檢測模型；

S5、使用原始圖像數據集X和標簽圖像數據集S進行模型訓練，得到模型參數；

S6、通過訓練模型對產品進行缺陷檢測，并對缺陷進行準確定位。

2.根據權利要求1所述的一種半導體引線框架鍍銀缺陷檢測方法，其特征在于，所述步驟S2中原始圖像數據集中的圖像由源圖像切片得到，將源圖像的長寬像素通過擴邊的方式擴大為512的整數倍，再將擴邊后的圖像按512*512像素大小進行切片，組成原始圖像數據集X。

3.根據權利要求1所述的一種半導體引線框架鍍銀缺陷檢測方法，其特征在于，所述步驟S3中原始圖像數據集的標簽用像素值為0或1的二值圖來表示，像素值為1的像素點代表缺陷，像素值為0的像素點代表背景。

4.根據權利要求1所述的一種半導體引線框架鍍銀缺陷檢測方法，其特征在于，所述步驟S4的構建缺陷檢測模型采用Unet編解碼器框架，添加基于空洞卷積的特征提取層和深度監督網絡；

所述缺陷檢測模型模型滿足對應關系：輸入數據集X＝{x₁，x₂，…，x_i，…，x_n}，得到對應的預測數據集Y＝{y₁，y₂，…，y_i，…，y_n}，其中，y_i表示原始圖像數據集中第i張圖像的檢測結果，y_i是像素值為0或1的二值圖，像素值為1的像素點代表缺陷，像素值為0的像素點代表背景。