[發明專利]電子裝置在審
| 申請號: | 202210660927.2 | 申請日: | 2022-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN115497986A | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 崔慶鉉;權世明;吳相訓;鄭震九 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置,包括:
顯示面板,所述顯示面板包括:
第一區域,所述第一區域包括透射區域和元件區域;以及
第二區域,所述第二區域與所述第一區域相鄰;
其中,所述顯示面板還包括:
襯底;
阻光層,所述阻光層布置在所述襯底上,所述阻光層包括限定所述透射區域的第一開口;
至少一個下絕緣層,所述至少一個下絕緣層布置在所述阻光層與所述襯底之間,所述至少一個下絕緣層包括與所述第一開口重疊的第二開口;
多個像素電路,所述多個像素電路布置在所述阻光層上;
多個發光元件,所述多個發光元件電連接到所述多個像素電路;以及
封裝層,所述封裝層與所述多個發光元件重疊。
2.如權利要求1所述的電子裝置,其中,所述阻光層的限定所述阻光層的所述第一開口的側壁與所述至少一個下絕緣層的限定所述至少一個下絕緣層的所述第二開口的側壁對齊。
3.如權利要求2所述的電子裝置,其中,
所述至少一個下絕緣層包括:
第一下絕緣層,所述第一下絕緣層布置在所述襯底與所述阻光層之間;以及
第二下絕緣層,所述第二下絕緣層布置在所述第一下絕緣層與所述襯底之間,并且
所述第一下絕緣層具有與所述第二下絕緣層的折射率不同的折射率。
4.如權利要求3所述的電子裝置,其中,
所述第一下絕緣層包括氧化硅,并且
所述第二下絕緣層包括非晶硅。
5.如權利要求1所述的電子裝置,其中,
所述顯示面板還包括:
第一子阻擋層,所述第一子阻擋層布置在所述襯底與所述至少一個下絕緣層之間;以及
第二子阻擋層,所述第二子阻擋層布置在所述第一子阻擋層與所述至少一個下絕緣層之間,并且
所述第一子阻擋層和所述第二子阻擋層布置在所述顯示面板的所述第一區域和所述第二區域兩者中。
6.如權利要求5所述的電子裝置,其中,
所述顯示面板還包括布置在所述第二子阻擋層中的后表面阻光層,并且
所述后表面阻光層布置在所述顯示面板的所述第二區域中。
7.如權利要求5所述的電子裝置,其中,
所述襯底包括:
第一子基礎層;
第一中間阻擋層,所述第一中間阻擋層布置在所述第一子基礎層上;
第二中間阻擋層,所述第二中間阻擋層布置在所述第一中間阻擋層上;以及
第二子基礎層,所述第二子基礎層布置在所述第二中間阻擋層上,并且
所述第一中間阻擋層具有介于所述第一子基礎層的折射率與所述第二中間阻擋層的折射率之間的折射率。
8.如權利要求7所述的電子裝置,其中,所述第一子阻擋層的折射率介于所述第二子基礎層的折射率與所述第二子阻擋層的折射率之間。
9.如權利要求7所述的電子裝置,其中,
所述第一子基礎層和所述第二子基礎層包括聚酰亞胺基樹脂,
所述第一子阻擋層和所述第一中間阻擋層包括氮氧化硅,并且
所述第二子阻擋層和所述第二中間阻擋層包括氧化硅。
10.如權利要求5所述的電子裝置,其中,所述顯示面板還包括布置在所述第二子阻擋層上的與所述至少一個下絕緣層和所述阻光層重疊的緩沖層。
11.如權利要求10所述的電子裝置,其中,
所述緩沖層包括:
第一子緩沖層;以及
第二子緩沖層,所述第二子緩沖層布置在所述第一子緩沖層上,并且
所述第二子緩沖層的布置在所述顯示面板的所述元件區域中的部分具有比所述第二子緩沖層的布置在所述顯示面板的所述透射區域中的部分的厚度大的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





