[發(fā)明專利]一種靜電吸收裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210655340.2
• 申請日: 2022-06-10
• 公開（公告）號: CN114867176A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王炳亮
• 申請（專利權(quán)）人: 德州靖瑞新能源科技有限公司
• 主分類號: H05F3/00
• 分類號: H05F3/00;H05F3/06
• 代理公司: 北京中仟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11825
• 代理人: 王欣

本發(fā)明實施例提供了一種靜電吸收裝置，包括殼體、磁電復(fù)合填充物、導(dǎo)電棒和磁力耦合層，所述磁電復(fù)合填充物容納于所述殼體內(nèi)部，所述磁力耦合層設(shè)置于所述殼體內(nèi)壁上且與所述磁電復(fù)合填充物相接觸，所述殼體上設(shè)置有單端接口，所述導(dǎo)電棒設(shè)置于所述殼體內(nèi)且與所述磁電復(fù)合填充物充分接觸，所述導(dǎo)電棒的一端與所述單端接口電連接，所述單端接口與需要泄放靜電的設(shè)備的外殼或內(nèi)部導(dǎo)線相連。該裝置通過對靜電進行吸收轉(zhuǎn)化為光子或聲子，進而解決了現(xiàn)有技術(shù)中靜電消除的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及靜電消除技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種靜電吸收裝置。

背景技術(shù)

在工業(yè)生產(chǎn)制造中靜電的產(chǎn)生是不可避免的，其危害主要表現(xiàn)在靜電引力危害和靜電放電危害兩大方面。一、靜電引力造成的危害；1、電子行業(yè)：吸附灰塵，造成集成電路和半導(dǎo)體元件的污染，大大降低成品率；2、造紙印刷行業(yè)：紙張收卷不齊，套印不準，吸污嚴重，甚至紙張黏結(jié)，影響生產(chǎn)；3、紡織行業(yè)：造成根絲飄動、纏花斷頭、紗線糾結(jié)等危害.4、膠片和塑料行業(yè)：使膠片或薄膜收卷不齊；膠片、CD塑盤沾染灰塵，影響品質(zhì)。二、靜電放電造成的危害：1、擊穿集成電路和精密的電子元件，或者促使元件老化，降低生產(chǎn)成品率.2、引起電子設(shè)備的故障或誤動作，造成電磁干擾。

因此人們?yōu)榱藨?yīng)對靜電對工業(yè)生產(chǎn)中的危害設(shè)計了一系列消除靜電的設(shè)備。例如，專利號為CN106332431A，公開了一種靜電消除裝置，適用于消除一物品的靜電電荷，并包含一靜電偵測單元，及一靜電消除單元。該靜電偵測單元包括一可感測該物品的靜電電荷的靜電傳感器。該靜電消除單元與該靜電傳感器電連接，并依據(jù)該物品的靜電電荷的信息產(chǎn)生正離子，及負離子的其中之一，并吹送至該物品進行離子中和。當該靜電傳感器沒有感測到靜電電荷時，該靜電消除單元停止產(chǎn)生離子也停止吹送，用以節(jié)省能源并延長壽命。該專利技術(shù)通過對靜電監(jiān)測，并設(shè)置復(fù)雜的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)靜電消除，但該結(jié)構(gòu)復(fù)雜，實用性較差。

專利號為CN107484317A，公開了一種絕緣貼布用消除靜電裝置，它涉及絕緣貼布用具技術(shù)領(lǐng)域；箱體的內(nèi)部設(shè)置有輸送帶機構(gòu)，所述箱體的內(nèi)上端安裝有除靜電控制箱，所述除靜電控制箱的下端安裝有兩個離子風棒，所述除靜電控制箱的后側(cè)安裝有負壓式吸塵箱，負壓式吸塵箱的下端安裝有調(diào)節(jié)器，調(diào)節(jié)器的調(diào)節(jié)桿上安裝有吸塵頭，吸塵頭通過管道與負壓式吸塵箱連接，所述負壓式吸塵箱的后側(cè)設(shè)置有CCD相機機構(gòu)，所述箱體的兩端分別設(shè)置有進口與出口，所述進口與出口上均設(shè)置有閘板，閘板上設(shè)置有調(diào)節(jié)長行孔，所述閘板的底部設(shè)置有清潔刷；本發(fā)明便于實現(xiàn)快速除靜電與除塵，且能實現(xiàn)外觀的檢測，使用方便，操作簡便。該靜電消除只能解決除塵的問題，且適用范圍較為特定。

因此，目前需要一種安裝簡便，且適用于多種環(huán)境的靜電吸收裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種靜電吸收裝置，通過對靜電進行吸收轉(zhuǎn)化為光子或聲子，進而解決了現(xiàn)有技術(shù)中靜電消除的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本申請實施例采用的技術(shù)方案如下：

一種靜電吸收裝置，包括殼體、磁電復(fù)合填充物、導(dǎo)電棒和磁力耦合層，所述磁電復(fù)合填充物容納于所述殼體內(nèi)部，所述磁力耦合層設(shè)置于所述殼體內(nèi)壁上且與所述磁電復(fù)合填充物相接觸，所述殼體上設(shè)置有單端接口，所述導(dǎo)電棒設(shè)置于所述殼體內(nèi)且與所述磁電復(fù)合填充物充分接觸，所述導(dǎo)電棒的一端與所述單端接口電連接，所述單端接口與需要泄放靜電的設(shè)備的外殼或內(nèi)部導(dǎo)線相連。

在可選的實施方式中，所述磁電復(fù)合填充物的主要成分為：具有鈦酸鹽10％～18％、磷酸鐵20％～30％、硼酸鹽11％～14％、碳化硅12％～18％、氮化硅13％～15％、氣相二氧化硅負載銀粉7％～10％、石墨烯5％～8％和碳酸鋰3％～8％。

在可選的實施方式中，所述磁電復(fù)合填充物的主要成分為：具有鈦酸鹽13％、磷酸鐵25％、硼酸鹽12％、碳化硅16％、氮化硅14％、氣相二氧化硅負載銀粉7％、石墨烯5％和碳酸鋰4％。

在可選的實施方式中，所述殼體包括上蓋和下盒，所述上蓋和所述下盒構(gòu)成密封的所述殼體。