[發明專利]一種在BaFe2

在審

• 申請號: 202210654992.4
• 申請日: 2022-06-10
• 公開（公告）號: CN115070047A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 王春雷;湯清彬;余本海;涂友超;陳旺陽;王路斌;李宜鋼
• 申請（專利權）人: 信陽師范學院
• 主分類號: B22F9/04
• 分類號: B22F9/04;B22F3/10
• 代理公司: 鄭州大通專利商標代理有限公司 41111
• 代理人: 胡姍姍

1.一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A、稱取反應原料，反應原料包括Ba、Cs、Fe、As以及他們之間的化合物FeAs、AeAs中的幾種，其中Ae為Cs或Ba；

步驟B、將配比后的反應原料球磨3～6h；

步驟C、將球磨后的反應原料密封后燒結，即得Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜，其中0 x 1。

2.根據權利要求1所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，各反應原料之間的摩爾比為Ba：Cs：FeAs：AeAs=1-x：x：y：（10-y），其中2≤y≤10。

3.根據權利要求1所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，所述燒結升溫速率為1～10 ℃/min，燒結溫度為600～1300℃, 燒結保溫時間為5～40h。

4.根據權利要求1所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，所述燒結后降溫，降溫速率為1～10℃/min。

5.根據權利要求1所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，步驟A和步驟B均在惰性氣體氛圍下操作。

6.根據權利要求5所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。

7.根據權利要求1所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，所述球磨采用球磨機，球磨速率為200～400rpm；球磨中間開蓋將粘連在球磨罐壁上的原料清理，并用研缽碾碎、混合均勻，然后再次進行球磨，如此反復3-4次即可。

8.根據權利要求1所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法，其特征在于，所述FeAs、CsAs或BaAs的制備方法包括：根據計量比稱取Fe、As、或Cs、As、或Ba、As；球磨3～6h，球磨轉速為200-400rpm，中間開蓋將粘連在球磨罐壁上的原料清理，并用研缽碾碎、混合均勻，然后再次進行球磨，如此反復3～4次即可；密封后燒結，升溫速率為1～10℃/min，燒結溫度為200～700℃，燒結保溫時間為5～40h。

9.根據權利要求1～8任一項所述的一種在BaFe₂As₂單晶基底上制備Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜的方法制備的Ba_1-xCs_xFe₂As₂超導薄膜在電子學器件中的應用。