[發明專利]半導體器件的制造方法及相應的半導體器件

在審

• 申請號: 202210646310.5
• 申請日: 2022-06-08
• 公開（公告）號: CN115458415A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: A·貝利齊;M·羅維托
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/31
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種方法，包括：

提供層狀襯底，所述層狀襯底分別具有導電材料和激光直接結構化LDS材料的區域交替；

在所述層狀襯底中的LDS材料的區域上布置半導體芯片，所述半導體芯片具有面向所述層狀襯底的前有源區和背向所述層狀襯底的金屬化后表面；

在所述層狀襯底上形成LDS材料的封裝件以包封所述半導體芯片，其中所述LDS材料的封裝件具有背向所述層狀襯底的外表面，并且其中所述半導體芯片的所述金屬化后表面被暴露在所述外表面處；

將激光直接結構化處理應用于所述層狀襯底中的LDS材料的所述區域，以提供朝向所述半導體芯片的所述前有源區的第一導電線，所述第一導電線包括至少一個第一過孔，所述第一過孔穿過所述層狀襯底中的LDS材料的所述區域延伸至所述半導體芯片的所述前有源區；以及

將激光直接結構化處理應用于LDS材料的所述封裝件，以提供至少一個第二過孔，所述第二過孔穿過LDS材料的所述封裝件延伸至所述層狀襯底中的導電材料的區域以及鍍在LDS材料的所述封裝件的所述外表面上的導熱層，其中所述導熱層在暴露在LDS材料的所述封裝件的所述外表面處的所述半導體芯片的所述金屬化后表面上方延伸。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括將延伸穿過LDS材料的所述封裝件的所述至少一個第二過孔以及所述層狀襯底中的所述導電材料的區域移除。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括將導熱材料的熱提取器主體與所述導熱層以熱傳遞關系耦合。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述層狀襯底上布置所述半導體芯片之前將絕緣層層壓到所述層狀襯底上，其中所述絕緣層位于所述層狀襯底和所述半導體芯片的所述有源區的中間。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在所述層狀襯底上形成LDS材料的所述封裝件以包封所述半導體芯片包括：

將LDS材料施加到上面布置有所述半導體芯片的所述層狀襯底上，其中所述半導體芯片被埋入所述LDS材料中；以及

部分地移除施加到所述層狀襯底上的所述LDS材料，以提供LDS材料的所述封裝件的所述外表面，所述半導體芯片的所述金屬化后表面暴露在LDS材料的所述封裝件的所述外表面處。

6.根據權利要求1所述的方法，其中朝向所述半導體芯片的所述前有源區的所述第一導電線包括在所述層狀襯底的與所述半導體芯片相對的表面上延伸的導電線。

7.一種方法，包括：

提供層狀襯底，所述層狀襯底分別具有導電材料和激光直接結構化LDS材料的區域交替；

在所述層狀襯底中的LDS材料的相應多個區域上布置多個半導體芯片，每個半導體芯片具有朝向所述層狀襯底的前有源區和背向所述層狀襯底的金屬化后表面；

在所述層狀襯底上形成LDS材料的封裝件以包封所述多個半導體芯片，其中LDS材料的所述封裝件具有背向所述層狀襯底的外表面，并且其中所述多個半導體芯片中的每個半導體芯片的所述金屬化后表面被暴露在所述外表面處；

將激光直接結構化處理應用于所述層狀襯底中的LDS材料的所述區域，以提供朝向所述多個半導體芯片中的每個半導體芯片的所述前有源區的第一導電線，所述第一導電線包括多個第一過孔，所述多個第一過孔穿過所述層狀襯底中的LDS材料的所述區域延伸至所述多個半導體芯片的所述前有源區；

將激光直接結構化處理應用于LDS材料的所述封裝件，以提供多個第二過孔所述多個第二過孔穿過LDS材料的所述封裝件延伸至所述層狀襯底中的導電材料的區域以及鍍在LDS材料的所述封裝件的所述外表面上的導熱層，其中所述導熱層在暴露在LDS材料的所述封裝件的所述外表面處的所述多個半導體芯片的所述金屬化后表面上方延伸；以及

在導電材料的所述區域處切割穿過所述層狀襯底和形成在所述層狀襯底上的LDS材料的所述封裝件，其中所述切割移除延伸穿過LDS材料的所述封裝件的所述多個第二過孔，并產生多個單個化的半導體器件，每個單個化的半導體器件包括所述導熱層的相應部分。