[發明專利]處理基板的方法和裝置以及溫度控制方法在審
| 申請號: | 202210645504.3 | 申請日: | 2022-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN115458436A | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 吳明煥;李成龍;徐同赫;尹榮云 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張凱 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 以及 溫度 控制 | ||
本發明涉及處理基板的方法和裝置以及溫度控制方法。提供了一種處理基板的方法,該方法包括:執行對形成有膜的基板進行熱處理的第一加熱工藝,以及在執行第一加熱工藝之后執行對基板進行熱處理的第二加熱工藝;收集操作,該收集操作收集在第一加熱工藝中加熱基板的第一加熱板的溫度數據;以及第一控制操作,該第一控制操作基于溫度數據調節在第二加熱工藝中加熱基板的第二加熱板的溫度。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2021年6月8日提交韓國專利局的、申請號為10-2021-0074356的韓國專利申請的優先權和權益,其全部內容通過引用結合在本申請中。
技術領域
本發明涉及一種處理基板的方法和裝置,更具體地,涉及一種使用加熱板加熱基板的處理基板的方法和裝置,以及控制加熱板的溫度的溫度控制方法。
背景技術
為了制造半導體設備或平面顯示面板,執行各種工藝,諸如光刻工藝、蝕刻工藝、灰化工藝、薄膜沉積工藝和清潔工藝。在這些工藝中,光刻工藝包括:施用工藝,該施用工藝用于在基板(諸如晶圓)上形成施用膜;曝光工藝,該曝光工藝用于使用掩模對形成在基板上的施用膜照射光;以及顯影工藝,該顯影工藝用于將顯影劑供應到已在其上執行曝光工藝的施用膜,從而在基板上獲得期望圖案。
另外,一般地,為了使形成在基板上的施用膜和圖案穩定,在施用工藝與曝光工藝之間、在曝光工藝與顯影工藝之間、以及在顯影工藝之后,執行熱處理工藝。在熱處理工藝中,基板被放置在設置于熱處理腔室中的加熱板上,并且加熱板加熱基板。
圖1是示意性地示出了一般的熱處理工藝中的加熱板的溫度控制操作的框圖,以及圖2是示出了作為圖1的參考數據輸入的加熱板的設定溫度的圖形。參照圖1和圖2,一般地,為了均勻地處理基板,熱處理腔室的加熱板旨在恒定地保持在設定溫度RT。相應地,用于控制加熱板溫度的控制器C接收設定溫度RT作為參考數據Ref。此外,控制器C控制反饋,使得加熱板的溫度可以保持在作為參考數據Ref輸入的設定溫度RT。
圖3是示出了圖1的加熱板的實際溫度變化的圖形。圖3的t1是基板被引入熱處理腔室的時間點或基板被放置在加熱板上的時間點。
基板的溫度低于加熱板的溫度。相應地,當低溫基板被裝載至熱處理腔室中時,加熱板的溫度迅速下降。在這種情況下,可能會對加熱板施用熱沖擊。
另外,當加熱板的溫度下降時,控制器C通過反饋控制使加熱板的溫度恢復到設定溫度RT。例如,控制器C接收由溫度傳感器測量的加熱板的溫度測量值,并調節加熱加熱板的加熱器的輸出以使加熱板的溫度恢復到設定溫度RT。在這種情況下,將加熱板的溫度穩定到設定溫度RT需要從t1到t2的時間(即多達a)。相應地,執行熱處理工藝所需的時間增加。此外,溫度變化幅度b也增大。當溫度變化幅度增大時,形成在基板上的圖案以及圖案之間的間隔不是恒定的,并且對于基板的各區域可能會發生變化。也就是說,加熱板的溫度變化可能在曝光工藝后執行的熱處理工藝中起到更致命的作用。
發明內容
本發明致力于提供一種能夠有效地處理基板的處理基板的方法和裝置、以及加熱板的溫度控制方法。
本發明也致力于提供一種能夠使加熱基板的加熱板的溫度變化最小化的處理基板的方法和裝置、以及加熱板的溫度控制方法。
本發明也致力于提供一種能夠縮短執行加熱工藝所消耗的時間的處理基板的方法和裝置、以及加熱板的溫度控制方法。
本發明也致力于提供一種能夠快速穩定加熱板的溫度變化的處理基板的方法和裝置、以及加熱板的溫度控制方法。
本發明所要解決的問題不限于上述問題,并且本領域技術人員將從本說明書和附圖中清楚地理解未提及的問題。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





