[發明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請號: 202210644175.0
• 申請日: 2022-06-08
• 公開（公告）號: CN116469436A
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 犬塚雄貴
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

本發明提供使讀出動作高速化的半導體存儲裝置。一個實施方式的半導體存儲裝置具有：多個第1存儲單元晶體管(MT0～MT7)、第1選擇晶體管(ST1)、第2選擇晶體管(ST2)、多個第2存儲單元晶體管(MT0～MT7)、第3選擇晶體管(ST3)、第4選擇晶體管(ST4)、與所述多個第1存儲單元晶體管(MT0～MT7)被共同地驅動的多個第3存儲單元晶體管(MT8～MT15)、第5選擇晶體管(ST5)、第6選擇晶體管(ST6)、與上述多個第2存儲單元晶體管(MT0～MT7)被共同地驅動的多個第4存儲單元晶體管(MT8～MT15)、第7選擇晶體管(ST7)和第8選擇晶體管(ST8)。

相關申請

本申請享受以日本專利申請2022-002327號(申請日：2022年1月11日)為基礎申請的優先權。本申請通過參考此基礎申請而包括基礎的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術

作為非易失性半導體存儲裝置，已知有NAND型閃存。

發明內容

實施方式的目的在于提供一種能夠高密度化的半導體存儲裝置。

實施方式的半導體存儲裝置具備：基板；第1存儲柱，從所述基板沿第1方向延伸，具有：多個第1存儲單元晶體管，相互串聯電連接，具有第1端部和第2端部；第1選擇晶體管，與所述第1端部電連接；第2選擇晶體管，與所述第2端部電連接；多個第2存儲單元晶體管，與所述多個第1存儲單元晶體管電絕緣，該多個第2存儲單元晶體管相互串聯電連接，具有第3端部和第4端部；第3選擇晶體管，將所述第1選擇晶體管與所述第3端部電連接；第4選擇晶體管，將所述第2選擇晶體管與所述第4端部電連接；多個第3存儲單元晶體管，相互串聯電連接，具有第5端部和第6端部；第5選擇晶體管，將所述第2選擇晶體管及所述第4選擇晶體管與所述第5端部電連接；第6選擇晶體管，與所述第6端部電連接；多個第4存儲單元晶體管，與所述多個第3存儲單元晶體管電絕緣，該多個第4存儲單元晶體管相互串聯電連接，具有第7端部和第8端部；第7選擇晶體管，將所述第2選擇晶體管、所述第4選擇晶體管及所述第5選擇晶體管與所述第7端部電連接；以及第8選擇晶體管，將所述第6選擇晶體管與所述第8端部電連接；第1選擇柵極線，在所述基板之上，與所述基板的基板面平行地設置，與所述第1存儲柱的第1側對置，并與所述第1選擇晶體管的柵極電連接；多個第1字線，在所述第1選擇柵極線之上，與所述基板的基板面平行地設置，與所述第1存儲柱的所述第1側對置，并與所述多個第1存儲單元晶體管的柵極分別電連接；第2選擇柵極線，在所述多個第1字線之上，與所述基板的基板面平行地設置，與所述第1存儲柱的所述第1側對置，并與所述第2選擇晶體管的柵極電連接；第3選擇柵極線，在所述基板之上，與所述基板的所述基板面平行地設置，在所述第1方向上的位置與所述第1選擇柵極線在所述第1方向上的位置相同，與所述第1存儲柱的第2側對置，并與所述第3選擇晶體管的柵極電連接；多個第2字線，在所述第3選擇柵極線之上，與所述基板的基板面平行地設置，在所述第1方向上的位置分別與所述多個第1字線在所述第1方向上的位置相同，與所述第1存儲柱的所述第2側對置，并與所述多個第2存儲單元晶體管的柵極電連接；第4選擇柵極線，在所述多個第2字線之上，與所述基板的基板面平行地設置，在所述第1方向上的位置與所述第2選擇柵極線在所述第1方向上的位置相同，與所述第1存儲柱的第2側對置，并與所述第4選擇晶體管的柵極電連接；第5選擇柵極線，在所述基板之上，與所述基板的基板面平行地設置，與所述第1存儲柱的第1側對置，并與所述第5選擇晶體管的柵極電連接；多個第3字線，在所述第5選擇柵極線之上，與所述基板的基板面平行地設置，與所述第1存儲柱的所述第1側對置，并與所述多個第3存儲單元晶體管的柵極及所述多個第1字線分別電連接；第6選擇柵極線，在所述多個第3字線之上，與所述基板的基板面平行地設置，與所述第1存儲柱的所述第1側對置，并與所述第6選擇晶體管的柵極電連接；第7選擇柵極線，在所述基板之上，與所述基板的所述基板面平行地設置，在所述第1方向上的位置與所述第5選擇柵極線在所述第1方向上的位置相同，與所述第1存儲柱的第2側對置，并與所述第7選擇晶體管的柵極電連接；多個第4字線，在所述第7選擇柵極線之上，與所述基板的基板面平行地設置，在所述第1方向上的位置與所述多個第3字線在所述第1方向上的位置分別相同，與所述第1存儲柱的所述第2側對置，并與所述多個第4存儲單元晶體管的柵極及所述多個第2字線分別電連接；以及第8選擇柵極線，在所述多個第4字線之上，與所述基板的基板面平行地設置，在所述第1方向上的位置與所述第6選擇柵極線在所述第1方向上的位置相同，與所述第1存儲柱的第2側對置，并與所述第8選擇晶體管的柵極電連接。