[發(fā)明專利]太陽能電池片和太陽能電池串組在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210642487.8 | 申請日: | 2022-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN115995498A | 公開(公告)日: | 2023-04-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張舒;王樂 | 申請(專利權(quán))人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 213000 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 | ||
本發(fā)明提供一種太陽能電池片和太陽能電池串組,其包括電池片主體和設置在電池片主體的第一表面的副柵結(jié)構(gòu),電池片主體的第一表面劃分有常規(guī)區(qū)域和環(huán)繞在常規(guī)區(qū)域周圍的加強區(qū)域;副柵結(jié)構(gòu)包括相互平行的至少四個第一副柵線,第一副柵線的中心段和位于中心段兩側(cè)的邊緣段分別位于常規(guī)區(qū)域和加強區(qū)域;第一副柵線的邊緣段不同位置處的平均截面積為第一面積;第一副柵線的中心段不同位置處的平均截面積為第二面積,第一面積大于第二面積。本發(fā)明提供的太陽能電池片,可以延緩太陽能電池片的功率輸出衰減的速度。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領域,具體地,涉及一種太陽能電池片和太陽能電池串組。
背景技術(shù)
光伏能源已成為人類能源結(jié)構(gòu)中的重要組成部分,而驅(qū)動光伏能源得以大規(guī)模應用的核心因素源自度電成本的持續(xù)下降。光伏系統(tǒng)度電成本的下降,主要得益于高效技術(shù)、低成本技術(shù)的發(fā)展與產(chǎn)業(yè)化應用。然而,高效技術(shù)和低成本技術(shù)得以應用的前提,必須是這兩類技術(shù)的應用,使組件產(chǎn)品同時也具備了高可靠性這一特征;因此高可靠性技術(shù)研究是光伏組件、電池技術(shù)研究人員需要探索的重要技術(shù)方向。
目前采用背板封裝結(jié)構(gòu)的光伏組件,其電池片正面上的細柵漿料采用低單耗金屬化設計,隨著使用時間的延長,光伏組件的功率輸出產(chǎn)生衰減,使用環(huán)境潮濕的地方衰減更嚴重。因此,如何延緩光伏組件的功率輸出產(chǎn)生衰減是目前亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一,提出了一種太陽能電池片和太陽能電池串組,其可以減輕電池片邊緣處的發(fā)黑現(xiàn)象,延緩副柵線的線電阻及副柵線與電池表面的接觸電阻的上升,延緩太陽能電池片的功率輸出衰減的速度。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種太陽能電池片,包括電池片主體和設置在所述電池片主體的第一表面的副柵結(jié)構(gòu),所述電池片主體的第一表面劃分有常規(guī)區(qū)域和環(huán)繞在所述常規(guī)區(qū)域周圍的加強區(qū)域;
所述副柵結(jié)構(gòu)包括相互平行的至少四個第一副柵線,所述第一副柵線的中心段和位于所述中心段兩側(cè)的邊緣段分別位于所述常規(guī)區(qū)域和所述加強區(qū)域;
所述第一副柵線的邊緣段不同位置處的平均截面積為第一面積;所述第一副柵線的中心段不同位置處的平均截面積為第二面積,所述第一面積大于所述第二面積。
可選的,所述副柵結(jié)構(gòu)還包括與所述第一副柵線相互平行的至少四個第二副柵線,至少四個所述第二副柵線均位于所述加強區(qū)域;所述第二副柵線不同位置處的平均截面積為第三面積,所述第三面積大于所述第二面積。
可選的,所述第一面積與所述第二面積的比值大于1,且小于等于3;所述第三面積與所述第二面積的比值大于1,且小于等于3。
可選的,所述第一面積的取值范圍為0.0001~0.001mm2;所述第三面積的取值范圍為0.0001~0.001mm2;所述第二面積的取值范圍為0.000045~0.00075mm2。
可選的,所述常規(guī)區(qū)域和所述加強區(qū)域的交界與對應的所述電池片主體的邊緣之間的距離L滿足以下關(guān)系式:
其中,A1為所述第二面積;C1為所述距離L的下限值系數(shù),所述下限值系數(shù)為0.0001mm3;C2為所述距離L的上限值系數(shù),所述上限值系數(shù)為0.01mm3。
可選的,其特征在于,所述第一副柵線的邊緣段不同位置處的截面積相同。
可選的,所述第一副柵線的邊緣段沿其延伸方向劃分有多個子邊緣段,每個所述子邊緣段不同位置處的截面積相同,且多個所述子邊緣段的截面積自所述加強區(qū)域的邊界向?qū)乃龀R?guī)區(qū)域與所述加強區(qū)域的交界逐個遞減。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





