[發明專利]一種CMOS雙排DUP與內部ESD器件的連接結構在審

申請號：	202210642404.5	申請日：	2022-06-08
公開（公告）號：	CN114843263A	公開（公告）日：	2022-08-02
發明（設計）人：	茹金泉;陳明瑜;陳永烈;陳明嬌	申請（專利權）人：	珠海鴻芯科技有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L27/092
代理公司：	珠海智專專利商標代理有限公司 44262	代理人：	林永協
地址：	519000 廣東省珠海市高***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 cmos dup 內部 esd 器件連接結構
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【權利要求書】：

1.一種CMOS雙排DUP與內部ESD器件的連接結構，包括雙排PAD與多個GPIO，所述雙排PAD中的每個PAD的最底層金屬連接所述GPIO，所述GPIO包括I/O口與ESD器件，所述ESD器件與所述I/O口沿電路版圖從里向外依次設置，所述I/O口連接所述ESD器件；所述ESD器件包括上下并排設置的二個ESD PMOS管以及上下并排設置的二個ESD NMOS管，所述上下并排設置的二個ESD PMOS管設置在所述上下并排設置的二個ESD NMOS管的上方；所述上下并排設置的二個ESD NMOS管的下方設置有第一金屬接口，其特征在于：

所述上下并排設置的二個ESD PMOS管之間設置有第二金屬接口；所述PAD的最底層金屬連接所述第一金屬接口或所述第二金屬接口。

2.如權利要求1所述的CMOS雙排DUP與內部ESD器件的連接結構，其特征在于：

所述I/O口與所述上下并排設置的二個ESD PMOS管之間設置不與PAD連接的第三金屬接口。

3.如權利要求2所述的CMOS雙排DUP與內部ESD器件的連接結構，其特征在于：

所述I/O口與所述上下并排設置的二個ESD PMOS管之間設置有第一保護環。

4.如權利要求1至3任一所述的CMOS雙排DUP與內部ESD器件的連接結構，其特征在于：

所述上下并排設置的二個ESD NMOS管與所述上下并排設置的二個ESD PMOS管之間設置有第二保護環。

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