[發明專利]一種相變存儲器及其制備方法在審
| 申請號： | 202210638962.4 | 申請日： | 2022-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN115000121A | 公開（公告）日： | 2022-09-02 |
| 發明（設計）人： | 楊紅心;周凌珺;李沙沙;劉峻 | 申請（專利權）人： | 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/24 | 分類號： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 高潔;張穎玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武漢市東湖新技術開發區*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種相變存儲器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
形成選通層以及與所述選通層串聯的相變存儲層；
所述選通層包括第一子層和第二子層；其中，所述第一子層的元素選自第一類元素集中至少一種選通層元素，所述第二子層的元素選自第二類元素集中至少一種選通層元素；所述第一類元素集中各個選通層元素的遷移率小于所述第二類元素集中各個選通層元素的遷移率。
2.根據權利要求1所述的相變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述第一子層的層數大于所述第二子層的層數；所述第二子層位于相鄰兩個所述第一子層之間。
3.根據權利要求1所述的相變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述選通層還包括第三子層；其中，所述第三子層的元素選自第三類元素集中至少一種選通層元素；所述第一類元素集中各個選通層元素的遷移率和所述第三類元素集中各個選通層元素的遷移率均小于所述第二類元素集中各個選通層元素的遷移率。
4.根據權利要求3所述的相變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述第二子層位于所述第一子層和所述第三子層之間。
5.根據權利要求1所述的相變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述選通層元素包括鍺Ge、銻Sb、硅Si、硒Se、砷As、碲Te。
6.一種相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器包括：選通層以及與所述選通層串聯的相變存儲層；
所述選通層包括第一子層和第二子層；所述第一子層中各個元素的遷移率小于所述第二子層中各個元素的遷移率。
7.根據權利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，
所述第一子層和所述第二子層交替層疊設置。
8.根據權利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，
所述選通層還包括第三子層；所述第三子層中各個元素的遷移率小于所述第二子層中各個元素的遷移率；所述第二子層位于所述第一子層和所述第三子層之間。
9.根據權利要求8所述的相變存儲器，其特征在于，
所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層交替層疊設置。
10.根據權利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，
所述第一子層的材料包括鍺Ge、銻Sb、硅Si中的至少一種元素；
所述第二子層的材料包括硒Se、砷As、碲Te中的至少一種元素。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江先進存儲產業創新中心有限責任公司，未經長江先進存儲產業創新中心有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210638962.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
