[發明專利]一種磁控濺射靶材的磁場設計方法在審
| 申請號： | 202210637927.0 | 申請日： | 2022-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN115161605A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 范玉山 | 申請（專利權）人： | 蘇州德耐納米科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 于浩江 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁控濺射 磁場 設計 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁控濺射靶材的磁場設計方法，其特征在于，包含以下步驟：
①建立XYZ空間坐標系；
②以Z軸為長度方向，Y軸為寬度方向，在YZ平面上設置內層磁鐵組(1)、中間層磁鐵組和外層磁鐵組(3)，每一層磁鐵組均沿Y軸和Z軸對稱；
③給每一層磁鐵組充磁；
④建立磁場的模擬矢量圖；
⑤根據磁場的模擬矢量圖，找出磁場水平分量的最小處；
⑥將磁場水平分量的最小處與靶材蝕刻位置對比；
⑦調整每一層磁鐵組的充磁方向，直到磁場水平分量的最小處靠近靶材蝕刻位置。
2.根據權利要求1所述的磁控濺射靶材的磁場設計方法，其特征在于：
所述步驟③中：
內層磁鐵組(1)沿+X軸方向充磁；
中間層磁鐵組被Z軸分為+Y部分(21)和-Y部分(22)，中間層磁鐵組的+Y部分(21)沿-Y軸方向充磁，中間層磁鐵組的-Y部分(22)沿+Y軸方向充磁；
外層磁鐵組(3)沿-X軸方向充磁。
3.根據權利要求1所述的磁控濺射靶材的磁場設計方法，其特征在于：將每一層磁鐵組均分解為多個獨立的單塊磁鐵；充磁時，對每個單塊磁鐵分別進行充磁。
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