[發明專利]一種半導體開關組件及其控制方法

在審

• 申請號: 202210635408.0
• 申請日: 2022-06-06
• 公開（公告）號: CN114825879A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 高博;陳顯平
• 申請（專利權）人: 重慶平創半導體研究院有限責任公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M1/38
• 代理公司: 重慶仟佰度專利代理事務所(普通合伙) 50295
• 代理人: 廖龍春

1.一種半導體開關組件，其特征在于，包括高壓無拖尾電流開關器件、低壓無拖尾電流開關器件和有拖尾電流開關器件；有拖尾電流開關器件與低壓無拖尾電流開關器件串聯，高壓無拖尾電流開關器件與串聯后的有拖尾電流開關器件與低壓無拖尾電流開關器件并聯。

2.根據權利要求1所述的半導體開關組件，其特征在于：所述高壓無拖尾電流開關器件和低壓無拖尾電流開關器件采用JFET器件或HEMT器件；有拖尾電流開關器件采用BJT開關器件。

3.根據權利要求1所述的半導體開關組件，其特征在于：所述高壓無拖尾電流開關器件采用高壓MOSFET器件，低壓無拖尾電流開關器件采用低壓MOSFET器件，有拖尾電流開關器件采用IGBT器件。

4.根據權利要求3所述的半導體開關組件，其特征在于：還包括時序發生電路、高壓MOSFET驅動電路和低壓MOSFET驅動電路；時序發生電路的輸出端分別與低壓MOSFET驅動電路和高壓MOSFET驅動電路的輸入端連接；

低壓MOSFET驅動電路的輸出端與低壓MOSFET器件的柵極和源極連接，高壓MOSFET驅動電路的輸出端與高壓MOSFET器件的柵極和源極連接。

5.根據權利要求4所述的半導體開關組件，其特征在于：還包括IGBT驅動電路，IGBT驅動電路為主動驅動電路，IGBT驅動電路的輸出端與IGBT器件的柵極和發射極連接。

6.根據權利要求5所述的半導體開關組件，其特征在于：所述IGBT器件的發射極和集電極之間并聯有反并聯二極管。

7.根據權利要求4所述的半導體開關組件，其特征在于：還包括IGBT驅動電路，IGBT驅動電路為偏置電壓供電電路，IGBT器件的柵極與IGBT驅動電路連接，IGBT器件的發射極與低壓MOSFET器件的漏極連接。

8.根據權利要求7所述的半導體開關組件，其特征在于：所述高壓MOSFET驅動電路包括驅動電阻R2、驅動電阻R3、巴倫L1，以及低壓的P MOSFET Q1和N MOSFET Q2；

低壓MOSFET驅動電路包括驅動電阻R5、驅動電阻R6、巴倫L2，以及低壓的P MOSFET Q3和N MOSFET Q4；

P MOSFET Q1的源極連接驅動供電，柵極連接時序發生電路，漏極連接驅動電阻R2的一端；N MOSFET Q2的源極接地，柵極連接時序發生電路，漏極連接驅動電阻R3的一端；驅動電阻R2與驅動電阻R3的另一端均與巴倫L1的一正輸入側連接；巴倫L1的另一正輸入側與高壓MOSFET器件的柵極連接，巴倫L1的一負輸入側接地；

P MOSFET Q3的源極連接驅動供電，柵極連接時序發生電路，漏極連接驅動電阻R5的一端；N MOSFET Q4的源極接地，柵極連接時序發生電路，漏極連接驅動電阻R6的一端；驅動電阻R5與驅動電阻R6的另一端均與巴倫L2的一正輸入側連接；巴倫L2的另一正輸入側與低壓MOSFET器件的柵極連接，巴倫L2的一負輸入側接地；

巴倫L1的另一負輸入側、巴倫L2的另一負輸入側、高壓MOSFET器件的源極以及低壓MOSFET器件的源極均與負輸出端連接；

IGBT器件的集電極以及高壓MOSFET器件的漏極均與正輸出端連接。