[發(fā)明專利]一種芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210632638.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-06-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114975149A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張光耀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥矽邁微電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 封裝 體內(nèi) 線路 加工 工藝 | ||
1.一種芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝，包括以下步驟：
步驟一：將帶有引腳的晶圓切割為單一單元，提供一載板，將切割后且通過(guò)測(cè)試的一個(gè)或者多個(gè)晶圓放置在載板上，進(jìn)行包封封裝，形成封裝體，后暴露出引腳；
步驟二：在封裝體靠近晶圓引腳的一側(cè)形成電性連接層，電性連接層與晶圓引腳電性連接；
其特征在于，還包括以下步驟：
在所述步驟二中，在封裝體上設(shè)置有用以擴(kuò)展線寬干擾位置處電性連接層的線路槽；
所述在線路槽中形成的電性連接層與封裝體之間的截面積增大；
進(jìn)行后續(xù)常規(guī)半導(dǎo)體封裝工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝，其特征在于，所述線路槽整體是連續(xù)的且走向與電性連接層相同，所述線路槽的寬度與其內(nèi)部的電性連接層寬度相匹配，所述線路槽的深度小于等于其內(nèi)部電性連接層高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝，其特征在于，所述線路槽設(shè)置在封裝體上靠近電性連接層的一側(cè)外表面且位于封裝體上彼此靠近線距小的電性連接層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝，其特征在于，所述線路槽形成的方式為激光刻蝕、干法刻蝕或者濕法刻蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝，其特征在于，所述電性連接層為重布線層，所述重布線層的形成方式為電鍍或者激光3D打印。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝體內(nèi)部線路加工工藝，其特征在于，所述包封封裝的材料為環(huán)氧樹(shù)脂塑封料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
