[發明專利]一種半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法在審
| 申請號： | 202210632520.9 | 申請日： | 2022-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN114975148A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 張光耀 | 申請（專利權）人： | 合肥矽邁微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 模塊 堆疊 封裝 加工 方法 | ||
1.一種半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法，包括以下步驟：
步驟一：將加工完成的晶圓分別進行包封封裝，形成第一芯片和第二芯片；
步驟二：所述第一芯片和第二芯片均包封在封裝層的內部，所述第一芯片和第二芯片電性連接；
其特征在于，還包括以下步驟：
在步驟一和步驟二之間：提供一載板（1），將載板（1）上涂有光阻膜（2），后光阻膜（2）圖案化，圖案化光阻膜（2）之后去除用以形成封裝層內部的深孔（3）；
載板（1）上同時設置有芯片，芯片位于圖案化的光阻膜（2）的一側；
包封后去除暴露出的圖案化的光阻膜（2），封裝層（4）上對應位置形成深孔（3），并形成電路連接使得第一芯片和第二芯片電性連接；
進行后續常規半導體模塊類堆疊封裝工藝。
2.根據權利要求1所述的半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法，其特征在于，所述光阻膜（2）的厚度范圍為貼合在載板（1）上的芯片器件高度的1.1-1.8倍。
3.根據權利要求2所述的半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法，其特征在于，將所述光阻膜（2）圖案化的步驟為曝光光刻、顯影和蝕刻，圖案化的光阻模（2）留在載板（1）的金屬面上。
4.根據權利要求3所述的半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法，其特征在于，將所述深孔（3）內部通過濺射方式形成種子層，后進行電鍍形成第一芯片和第二芯片之間的電性連接。
5.根據權利要求4所述的半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法，其特征在于，所述光阻膜（2）的暴露方式為研磨。
6.根據權利要求5所述的半導體模塊類堆疊封裝深孔加工方法，其特征在于，將所述圖案化的光阻模（2）去除的方式為堿洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
