[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210630986.5
• 申請日: 2022-06-06
• 公開（公告）號: CN115020474A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 方明旭;許昭昭;田甜;陳華倫
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括相鄰的第一區和第二區；

位于所述襯底上的柵極結構，部分所述柵極結構位于所述第一區上，且另一部分所述柵極結構層還位于所述第二區上；

位于所述第一區內的體區，所述體區具有第一導電類型；

位于所述第二區內的漂移區，所述漂移區具有第二導電類型，所述第一導電類型與所述第二導電類型不同，所述漂移區具有第一摻雜濃度；

位于所述柵極結構兩側的所述襯底內的漏極和源極，所述源極位于所述體區內，所述漏極位于所述漂移區內，所述源極和所述漏極具有第二導電類型，所述漏極具有第二摻雜濃度；

位于所述漂移區內的第一輕摻雜區，所述第一輕摻雜區包圍所述漏極且與所述漏極相接觸，所述第一輕摻雜區具有第二導電類型，所述第一輕摻雜區具有第三摻雜濃度，所述第一摻雜濃度低于所述第三摻雜濃度，所述第三摻雜濃度低于所述第二摻雜濃度。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述柵極結構包括柵氧層和位于所述柵氧層上的柵極層。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述柵極結構還包括介質層，所述介質層位于部分所述柵極層表面，且向所述漏極的方向延伸至所述襯底表面。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，在沿所述襯底表面方向上，所述第一輕摻雜區距離所述柵極結構的尺寸范圍為0μm至3μm。

5.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述介質層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第三摻雜濃度范圍為5E15atom/cm³至1E17atom/cm³。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一輕摻雜區的摻雜深度范圍為30nm至250nm；所述第一輕摻雜區的摻雜寬度范圍為160nm至1000nm。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底上還包括第三區；所述第三區上具有CMOS器件。

9.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括相鄰的第一區和第二區；

在所述第一區內形成體區，所述體區具有第一導電類型；

在所述第二區內形成漂移區，所述漂移區具有第二導電類型，所述第一導電類型與所述第二導電類型不同，所述漂移區具有第一摻雜濃度；

形成所述襯底上的柵極結構、所述柵極結構一側的所述體區內的源極和所述柵極結構另一側的所述漂移區內的漏極，所述漂移區內還具有第一輕摻雜區，所述第一輕摻雜區包圍所述漏極且與所述漏極相接觸，部分所述柵極結構位于所述第一區上，且另一部分所述柵極結構層還位于所述第二區上，所述體區具有第一導電類型，所述漂移區、所述第一輕摻雜區、所述源極和所述漏極具有第二導電類型，所述第一導電類型與所述第二導電類型不同，所述漂移區具有第一摻雜濃度，所述漏極具有第二摻雜濃度，所述第一輕摻雜區具有第三摻雜濃度，所述第一摻雜濃度低于所述第三摻雜濃度，所述第三摻雜濃度低于所述第二摻雜濃度。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵氧層和位于所述柵氧層上的柵極層。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜區的形成方法包括：在形成所述柵極層之前，形成所述第一輕摻雜區。

12.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在形成所述柵極層之后，形成所述第一輕摻雜區。