[發明專利]一種硅片擴散方法以及電池片制備方法

在審

• 申請號: 202210625701.9
• 申請日: 2022-06-02
• 公開（公告）號: CN115036209A
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 祁文杰;梁笑;毛文龍;范偉;盧佳
• 申請（專利權）人: 拉普拉斯（無錫）半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/223
• 分類號: H01L21/223;H01L21/673;H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

1.一種硅片擴散方法,其特征在于：包括以下步驟：

S01：裝舟，將硅片分區插入石英舟，所述石英舟包括上單片區域、下單片區域以及雙片區域，雙片區域位于上單片區域和下單片區域之間，上單片區域以及下單片區域裝載單片硅片，雙片區域裝載雙片硅片；

S02：磷擴散，對硅片進行磷擴散形成PN結。

2.根據權利要求1所述的一種硅片擴散方法，其特征在于：步驟S02中，磷擴散包括以下步驟：

S021：將載有硅片的石英舟送入石英爐管中；

S022：抽真空檢漏；

S023：爐管升溫至770-790℃后，通入氧氣和氮氣，氧氣流量1-1.5L/min，氮氣流量3-3.5L/min，爐管壓力為150-170mbar，時間4-6min；

S024：恒溫770-790℃，氮氣攜帶三氯氧磷，混合氧氣和氮氣從爐尾進氣，氧氣流量為0.8-1L/min，爐管壓力為150-170mbar，時間為11-13min；

S025：由770℃斜率升溫至845℃，氧氣流量1-1.5L/min，氮氣流量3-3.5L/min，爐管壓力為150-170mbar，時間9-11min；

S026：恒溫845℃，在恒溫的過程中，補充氮氣，氮氣流量為3-3.5L/min，爐管壓力為160mbar，時間9-11min；

S027：降溫至800℃，通氮氣回到常壓，出爐。

3.一種硅片擴散方法，其特征在于：包括以下步驟：

S31：裝舟，將硅片分區插入石英舟，所述石英舟包括上單片區域、下單片區域以及雙片區域，雙片區域位于上單片區域和下單片區域之間，上單片區域以及下單片區域裝載單片硅片，雙片區域裝載雙片硅片；

S32：硼擴散，對硅片進行硼擴散形成PN結。

4.根據權利要求3所述的一種硅片擴散方法，其特征在于：所述步驟S32中，硼擴散包括以下步驟：

S3201：將載有硅片的石英舟送入石英爐管中；

S3202：抽真空檢漏；

S3203：升溫，由770℃斜率升溫至800℃，通入氮氣，爐管壓力為140-160mbar，時間14-16min；

S3204：前氧化，800℃下，通入氮氣和氧氣，氮氣流量1-1.5L/min，氧氣流量2-2.5L/min，時間9-11min；

S3205：升溫800℃至850℃，升溫過程中階梯性通入氮氣、氧氣和三氯化硼；

S3206：升溫，由850℃斜率升溫至950℃，升溫過程中通入氮氣，氮氣流量2-2.5L/min，爐管壓力為390-410mbar，時間19-21min；

S3207：恒溫950℃，在恒溫的過程中，補充氮氣，氮氣流量為2-2.5L/min，爐管壓力為400mbar，時間19-21min；

S3208：升溫，由950℃斜率升溫至1050℃，升溫過程中通入氮氣和氧氣，氮氣流量1-1.5L/min，氧氣流量10-15L/min，爐管壓力為590-610mbar，時間9-11min；

S3209：氧化，在1050℃下進行2min干法氧化，干法氧化過程中通入氧氣和氮氣，氮氣流量1-1.5L/min，氧氣流量10-15L/min，爐管壓力為590-610mbar，時間115-125min；

S3210：降溫氧化，溫度由1050℃降至800℃，降溫過程中通入氧氣和氮氣，氮氣流量0.1-0.15L/min，氧氣流量10-15L/min，爐管壓力為590-610mbar，時間29-31min；

S3211：破真空，通入氮氣破真空至常壓；

S3212：出爐。