[發明專利]半導體存儲器結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210625244.3
• 申請日: 2022-06-02
• 公開（公告）號: CN115346993A
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發明（設計）人: 鄭智軒;陳介方;王圣禎;沈杰一;賈漢中;朱峯慶;林孟漢;楊豐誠;林佑明;林仲德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11517;H01L27/11582;H01L27/11563
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體存儲器結構的方法，包括：

在襯底上方形成堆疊件，所述堆疊件包括垂直交替布置的第一介電層和第二介電層；

形成穿過所述堆疊件的第一介電柱；

蝕刻所述堆疊件以形成第一溝槽，其中所述第一介電柱的側壁暴露于所述第一溝槽；

去除所述第一介電柱以形成貫通孔；

去除所述堆疊件的所述第二介電層以在所述第一介電層之間形成間隙；以及

在所述間隙中形成第一導線。

2.根據權利要求1所述的形成半導體存儲器結構的方法，還包括：

在去除所述第一介電柱之前，在所述第一溝槽中形成犧牲層；以及

在所述間隙中形成所述第一導線后去除所述犧牲層以形成第二溝槽。

3.根據權利要求2所述的形成半導體存儲器結構的方法，還包括：

在所述第二溝槽中形成鐵電層；

在所述第二溝槽中的所述鐵電層上方形成溝道層；以及

在所述第二溝槽中的所述溝道層上方形成絕緣層。

4.根據權利要求3所述的形成半導體存儲器結構的方法，還包括：

形成垂直貫穿所述絕緣層的第二導線。

5.根據權利要求1所述的形成半導體存儲器結構的方法，其中去除所述堆疊件的所述第二介電層包括將蝕刻劑引入所述貫通孔中以橫向蝕刻所述堆疊件的所述第二介電層。

6.根據權利要求1所述的形成半導體存儲器結構的方法，還包括：

用第二介電柱填充所述貫通孔。

7.根據權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中，在所述間隙中形成所述第一導線包括：

形成阻擋層以部分填充所述間隙；

形成金屬塊體層以過度填充所述間隙的剩余部分；以及

回蝕刻所述阻擋層和所述金屬塊體層。

8.根據權利要求1所述的形成半導體存儲結構的方法，其中，所述第一導線之一的側壁具有暴露于所述貫通孔之一的部分，并且所述側壁的所述為凹形。

9.一種半導體存儲器結構，包括：

條帶，包括交替堆疊在襯底上的第一導線和介電層；

第二導線，沿所述條帶的第一側垂直延伸；

溝道層，夾在所述條帶與所述第二導線之間；以及

介電柱，沿與所述條帶的所述第一側相對的所述條帶的第二側垂直延伸。

10.一種半導體存儲器結構，包括：

第一字線和與所述第一字線橫向間隔開的第二字線；

第一溝道層和第二溝道層，位于所述第一字線與所述第二字線之間；以及

介電柱，位于所述第一字線和所述第二字線之間以及位于所述第一溝道層和所述第二溝道層之間，其中所述介電柱包括延伸到所述第一字線中的第一突出部分和延伸到所述第二字線中的第二突出部分。