[發明專利]碳化硅VDMOS器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202210620587.0
• 申請日: 2022-06-02
• 公開（公告）號: CN114975313B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 趙志
• 申請（專利權）人: 上海晶岳電子有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/467;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海塔科專利代理事務所(普通合伙) 31380
• 代理人: 謝安軍

本發明公開了碳化硅VDMOS器件及其制作方法，包括殼體和設置于所述殼體內部的VDMOS器件本體，所述VDMOS器件本體包括襯底，所述襯底的一側開設有第二凹槽，所述第二凹槽的數目為兩組，兩組所述第二凹槽內部分別嵌有源極和漏極，所述源極、所述漏極均與所述襯底形成有PN結，所述襯底的一側固定連接有二氧化硅板。本發明中一組格柵本體中第一擋板與另一組格柵本體中第二擋板的接縫處形成迷宮結構，從而能夠使格柵本體在對殼體內部VDMOS器件本體進行散熱的過程中起到良好的防塵效果，避免在散熱的過程中有較多的灰塵進入殼體內部導致VDMOS器件本體損壞的情況發生。

技術領域

本發明涉及VDMOS器件領域，具體來說，涉及碳化硅VDMOS器件及其制作方法。

背景技術

VDMOS是垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管，場效應晶體管簡稱場效應管。主要有兩種類型和金屬-氧化物半導體場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。

公開號為CN105225952A的中國發明專利文件，一種VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中，VDMOS器件，包括：N型襯底，還包括：位于N型襯底的第一表面上相對兩側的場氧化層；位于第一表面上的場氧化層之間的P型體區；位于P型體區上的N型源區；位于N型源區上的柵氧化層；位于柵氧化層上的具有開口的多晶硅層；位于場氧化層、多晶硅層以及柵氧化層上的介質層，介質層經刻蝕至P型體區，形成接觸孔；位于介質層和P型體區上的第一金屬層，第一金屬層經光刻與刻蝕后形成VDMOS器件的柵極與源極的電極；位于N型襯底上與第一表面相對的第二表面上的第二金屬層。該發明提供的方案完全避免了柵漏電容的存在，解決了平面型VDMOS器件的結構中柵漏之間存在電容影響動態特性的問題。

但是上述發明存在以下不足之處：并未對VDMOS器件設置保護外殼，使得VDMOS器件在后期使用的過程中更易出現損壞，同時該VDMOS器件也并未設置散熱機構，從而使得VDMOS器件長期處于高溫的工作環境，導致VDMOS管的使用壽命下降，不能滿足人們的使用需求。因此，亟需碳化硅VDMOS器件及其制作方法來解決上述問題。因此，亟需碳化硅VDMOS器件及其制作方法來解決上述問題。

發明內容

針對相關技術中的問題，本發明提出碳化硅VDMOS器件，以克服現有相關技術所存在的上述技術問題。

本發明的技術方案是這樣實現的：

碳化硅VDMOS器件，包括殼體和設置于所述殼體內部的VDMOS器件本體，所述VDMOS器件本體包括襯底，所述襯底的一側開設有第二凹槽，所述第二凹槽的數目為兩組，兩組所述第二凹槽內部分別嵌有源極和漏極，所述源極、所述漏極均與所述襯底形成有PN結，所述襯底的一側固定連接有二氧化硅板，所述二氧化硅板的一側設置有柵極，所述柵極、所述源極和所述漏極均與所述二氧化硅板相接觸，所述殼體的兩側設置有散熱組件，所述VDMOS器件本體的頂部固定連接有連接柱，所述殼體的頂部內壁固定連接有用于對所述連接柱進行固定夾持組件，所述殼體的內部設置有導向組件，所述殼體的底部開設有通槽，所述襯底的一側設置有封裝板，所述源極、所述漏極與所述柵極均固定連接有針腳。

進一步地，所述夾持組件包括設置于所述殼體一側內壁的升降組件，所述升降組件的一側固定連接有橫板，所述橫板的底部外壁固定連接有活動件，所述活動件包括第一圓柱體、圓臺體、第二圓柱體和插柱，所述殼體的一側內壁固定連接有定位柱，所述定位柱的一端固定連接有連接架，所述連接架的兩端均固定連接有第一固定框，所述第一固定框的兩側內壁均轉動連接有轉動柱，所述第一固定框的中部設置有連接桿，所述連接桿的一側開設有空腔，所述轉動柱的一端從所述空腔內部穿過，所述轉動柱的圓周外壁套接有復位卷簧，所述連接桿的一端開設有第一凹槽，所述第一凹槽的兩側內壁均轉動連接有滾輪，所述連接柱的頂部開設有圓孔，所述插柱與所述圓孔相適配，所述連接桿遠離所述滾輪的一端固定連接有凸塊，所述連接柱的圓周外壁開設有定位孔，所述凸塊與所述定位孔相配合。