[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210612427.1 | 申請日： | 2018-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN114975448A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭基旭;金桐吾;樸碩漢;尹燦植;李基碩;李昊仁;張燽娟;樸濟民;洪鎮(zhèn)宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/8238;H01L23/535;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/10;C01G23/053 |
| 代理公司： | 北京匯知杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11587 | 代理人： | 李潔;魏文浩 |
| 地址： | 韓國京畿道水*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底，包括單元區(qū)、核心區(qū)及位于所述單元區(qū)與所述核心區(qū)之間的邊界區(qū)；
邊界元件隔離層，位于所述邊界區(qū)的所述襯底中，所述邊界元件隔離層將所述單元區(qū)與所述核心區(qū)隔開；
高介電常數(shù)介電層，位于所述邊界元件隔離層的至少一部分及所述核心區(qū)的所述襯底上；
第一導(dǎo)電圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第一延伸部，所述第一導(dǎo)電圖案位于所述高介電常數(shù)介電層上；
第二導(dǎo)電圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第二延伸部，所述第二導(dǎo)電圖案的至少一部分位于所述第一導(dǎo)電圖案上；
導(dǎo)電層，延伸到所述邊界元件隔離層上，所述導(dǎo)電層的第一部分位于所述第二導(dǎo)電圖案上；以及
位線，包括所述單元區(qū)上的所述導(dǎo)電層的第二部分，
其中所述高介電常數(shù)介電層包括與所述邊界元件隔離層交疊的第三延伸部，
所述第一延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的方向上延伸的第一長度比所述第二延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸的第二長度短，且
所述第三延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸的第三長度與所述第一長度相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸的所述第一延伸部到所述第三延伸部中的每一者的端部與所述邊界元件隔離層交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電層包括與所述邊界元件隔離層交疊的第四延伸部，所述導(dǎo)電層的至少一部分在所述第二導(dǎo)電圖案上，且
所述導(dǎo)電層在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸的第四長度比所述第一長度到第三長度中的每一者都長。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述邊界元件隔離層包括在所述邊界元件隔離層中的不與所述第一延伸部到所述第三延伸部交疊的凹陷部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
有源區(qū)，位于所述單元區(qū)的所述襯底中；
字線，沿第一方向延伸并延伸穿過所述有源區(qū)；以及
直接接觸件，電性連接所述有源區(qū)及所述位線，
其中所述位線在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且延伸穿過所述有源區(qū)及所述字線，且
所述字線的上表面低于所述襯底的上表面。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底，包括單元區(qū)、核心區(qū)及設(shè)置在所述單元區(qū)與所述核心區(qū)之間的邊界區(qū)；
邊界元件隔離層，位于所述襯底的所述邊界區(qū)中，以將所述單元區(qū)與所述核心區(qū)隔開；
高介電常數(shù)介電層，位于所述邊界元件隔離層的至少一部分及所述襯底的所述核心區(qū)上；
第一導(dǎo)電圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第一延伸部且位于所述襯底上；
第二導(dǎo)電圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第二延伸部，所述第二導(dǎo)電圖案的至少一部分位于所述第一導(dǎo)電圖案上；
導(dǎo)電層，延伸到所述邊界元件隔離層上，所述導(dǎo)電層的第一部分位于所述第二導(dǎo)電圖案上；以及
位線，包括所述單元區(qū)上的所述導(dǎo)電層的第二部分，
其中所述第二延伸部比所述第一延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的方向上延伸得更遠，且
所述邊界元件隔離層包括不與所述第一延伸部及所述第二延伸部交疊的凹陷部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述高介電常數(shù)介電層包括與所述邊界元件隔離層交疊的第三延伸部，且
所述第一延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸的第一長度與所述第三延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸的第二長度相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電層包括與所述邊界元件隔離層交疊的第四延伸部，所述導(dǎo)電層的至少一部分在所述第二導(dǎo)電圖案上，且
所述第四延伸部比所述第一延伸部及所述第二延伸部在從所述核心區(qū)朝所述單元區(qū)的所述方向上延伸得更遠。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
