[發明專利]半導體工藝設備的進氣裝置及半導體工藝設備

有效

• 申請號: 202210610330.7
• 申請日: 2022-05-31
• 公開（公告）號: CN115074701B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 伊藤正雄;林源為
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/50;C23C16/40;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京思創畢升專利事務所 11218
• 代理人: 廉莉莉

1.一種半導體工藝設備的進氣裝置，所述半導體工藝設備包括反應腔室和設置于所述反應腔室內用于承載晶圓的承載裝置，其特征在于，所述進氣裝置包括進氣圓筒和多個第一進氣管，所述進氣圓筒的側壁內部具有第一環形空腔，所述進氣圓筒的側壁沿其周向開設有多個第一出氣通孔，所述第一出氣通孔的直徑不大于預設值，多個所述第一進氣管沿所述進氣圓筒的周向等間隔設置于所述進氣圓筒的側壁的外表面的頂端，所述第一進氣管沿所述進氣圓筒的徑向延伸，所述第一進氣管的一端連通所述第一環形空腔，所述第一進氣管的另一端用于通入第一工藝氣體。

2.根據權利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣圓筒的側壁包括同心設置的第一側壁和第二側壁，所述第二側壁位于所述第一側壁的外周，所述第一側壁和所述第二側壁之間形成所述第一環形空腔，所述第一側壁和/或所述第二側壁開設有多個所述第一出氣通孔。

3.根據權利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣裝置還包括多個第一邊緣進氣管路，每個所述第一邊緣進氣管路的一端穿過所述反應腔室的側壁與一個所述第一進氣管連通；

所述第一進氣管的所述另一端的頂部具有橫向延伸的第一延伸部，所述第一邊緣進氣管路的所述一端的底部具有橫向延伸的第二延伸部，所述第一延伸部用于與所述第二延伸部搭接配合，以使所述第一進氣管與所述第一邊緣進氣管路連通。

4.根據權利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣裝置還包括圓筒狀的環形擋板，所述環形擋板的頂部與所述進氣圓筒的底部連接，且所述環形擋板與所述進氣圓筒同軸設置，所述環形擋板用于環繞所述承載裝置設置，且沿所述承載裝置的軸向，所述環形擋板能夠至少部分容納所述承載裝置。

5.根據權利要求4所述的進氣裝置，其特征在于，所述環形擋板的頂部與所述進氣圓筒的底部通過多個支撐桿連接，每個所述支撐桿與一個所述第一進氣管在豎直方向上重合。

6.根據權利要求4所述的進氣裝置，其特征在于，所述環形擋板的側壁內部具有第二環形空腔，所述環形擋板的側壁的內壁面沿所述環形擋板的周向設有多層第二出氣通孔，所述第二出氣通孔的直徑不大于所述預設值；

所述進氣裝置還包括多個第二進氣管，多個所述第二進氣管沿所述環形擋板的周向等間隔設置于所述環形擋板側壁外表面的底端，所述第二進氣管沿所述環形擋板的徑向延伸，所述第二進氣管的一端連通所述第二環形空腔，多個所述第二進氣管的另一端用于通入第二工藝氣體。

7.根據權利要求6所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣裝置還包括多個第二邊緣進氣管路，每個所述第二邊緣進氣管路的一端穿過所述反應腔室的側壁與一個所述第二進氣管連通；

所述第二進氣管的另一端的頂部具有橫向延伸的第三延伸部，所述第二邊緣進氣管路的所述一端的底部具有橫向延伸的第四延伸部，所述第三延伸部用于與所述第四延伸部搭接配合，以使所述第二進氣管與所述第二邊緣進氣管路連通。

8.根據權利要求1或6所述的進氣裝置，其特征在于，所述預設值為0.1mm～1mm。

9.根據權利要求5所述的進氣裝置，其特征在于，所述進氣裝置還包括位于所述反應腔室頂部的中心進氣管路，所述中心進氣管路用于通入第二工藝氣體。

10.一種半導體工藝設備，包括所述反應腔室和設置于所述反應腔室內用于承載晶圓的所述承載裝置，其特征在于，所述進氣裝置采用權利要求1-9任意一項所述的半導體工藝設備進氣裝置。