[發明專利]一種自帶啟動電路的帶隙基準電路結構在審
| 申請號： | 202210610222.X | 申請日： | 2022-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN115016581A | 公開（公告）日： | 2022-09-06 |
| 發明（設計）人： | 廖永波;劉玉婷;魏超;劉仰猛;徐璐;路遠;黃樂天 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學長三角研究院（湖州） |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 郭美 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 啟動 電路 基準 結構 | ||
1.一種自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述電路結構包括第一MOS管、第二MOS管、第一三極管、第二三極管、第一電阻、第二電阻以及第三MOS管；
所述第一MOS管和所述第二MOS管的兩G極連接，兩S極均與電源端連接；所述第二MOS管的G極和D極連接；
所述第一MOS管的D極與所述第二三極管的集電極連接，所述第二MOS管的D極與所述第一三極管的集電極連接，所述第一三極管和所述第二三極管的基極連接；
所述第一三極管的發射極與所述第二三極管的發射極之間串接有所述第一電阻，所述第二三極管的發射極串接所述第二電阻后接地；
所述第三MOS管的S極與所述第一三極管的基極連接，D極與電源端連接，G極與所述第一MOS管的D極連接；
所述第一三極管和所述第二三極管的兩基極連接點作為基準電壓輸出。
2.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均為PMOS管，且器件參數一致。
3.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述第三MOS管為NMOS管。
4.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述第一三極管和所述第二三極管均為NPN型三級管。
5.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述基準電壓的輸出點與地之間串接有若干分壓電阻，通過電阻的分壓作用產生多個不同的基準電壓用于輸出。
6.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述電路結構通過調節所述第一電阻和所述第二電阻的電阻值以及所述第一三極管和所述第二三極管發射結面積之比，實現溫度系數的抵消，得到具有零溫度系數的所述基準電壓。
7.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述第二電阻與地之間還設有trim修調電路，用于對帶隙基準電路結構輸出的基準電壓進行調整。
8.根據權利要求7所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述trim修調電路包括四條支路，每條支路均包括串接的兩個反相器和一個NMOS管；
兩個反相器中的第一反相器輸入端作為該支路的輸入端口，第二反相器的輸出端與該支路中的NMOS管G極連接，所述NMOS管的D極和S極間設有電阻；
四條支路中的共四個電阻依次串接且其兩端分別與所述第二電阻以及GND連接。
9.根據權利要求1所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述第二MOS管的D極連接一個電流鏡結構用于實現電流復制，從而得到正溫度系數的電流供輸出使用；
所述電流鏡結構包括第四MOS管和第五MOS管；
所述第四MOS管和所述第五MOS管的兩G極連接，且與所述第二MOS管的D極連接；
所述第四MOS管和所述第五MOS管的兩S極均接電源端，兩D極作為復制的正溫度系數電流的輸出端與外部電路連接。
10.根據權利要求9所述的自帶啟動電路的帶隙基準電路結構，其特征在于，所述第四MOS管和所述第五MOS管均為PMOS管。
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