[發(fā)明專利]一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210609971.0
• 申請日: 2022-05-31
• 公開（公告）號: CN115084365A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟佳琳;王天宇;陳琳;孫清清;張衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京得信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11511
• 代理人: 孟海娟

1.一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件，其特征在于，

包括：

柔性襯底；

二維鐵電功能層，形成在所述柔性襯底上；

第一平面電極和第二平面電極，形成在所述二維鐵電功能層兩側(cè)；

將所述第二平面電極接地，當(dāng)未在所述第一平面電極施加電壓時，二維鐵電功能層中極化方向無序，器件處于常態(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加正電壓時，所述二維鐵電功能層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加負(fù)電壓時，鐵電層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件，其特征在于，

所述二維鐵電功能層為α-In₂Se₃或SnTe。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件，其特征在于，

所述二維鐵電功能層的厚度為1nm～10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件，其特征在于，

所述二維鐵電功能層的長度為30μm～100μm，寬度為2μm～20μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件，其特征在于，

所述柔性襯底為PET，PI或PEN。

6.一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件制備方法，其特征在于，

包括以下步驟：

在柔性襯底上形成二維鐵電功能層；

在所述二維鐵電功能層兩側(cè)形成第一平面電極和第二平面電極；

將所述第二平面電極接地，當(dāng)未在所述第一平面電極施加電壓時，二維鐵電功能層中極化方向無序，器件處于常態(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加正電壓時，所述二維鐵電功能層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加負(fù)電壓時，鐵電層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件制備方法，其特征在于，

所述二維鐵電功能層為α-In₂Se₃或SnTe。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件制備方法，其特征在于，

所述二維鐵電功能層的厚度為1nm～10nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件制備方法，其特征在于，

所述二維鐵電功能層的長度為30μm～100μm，寬度為2μm～20μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件制備方法，其特征在于，

所述柔性襯底為PET，PI或PEN。