[發明專利]一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法

在審

• 申請號: 202210608579.4
• 申請日: 2022-05-31
• 公開（公告）號: CN114870829A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 易鶴翔
• 申請（專利權）人: 贛州瑞德化工有限公司
• 主分類號: B01J23/14
• 分類號: B01J23/14;B01J21/08;B01J35/02;B01J35/08;B01J35/10;B01J37/03;C01B3/04;C01B13/02;C02F1/30;A61L9/18;A62D3/17;B01D53/86;A62D101/20
• 代理公司: 廣州吱咕知識產權代理事務所(普通合伙) 44848
• 代理人: 王雨

1.一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，酸性硅溶膠溶液中加入納米氧化錫分散液，充分攪拌反應，再加入模板劑攪勻，調pH值，陳化成凝膠，凝膠經干燥、焙燒、粉碎制得粉狀氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料。

2.根據權利要求1所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，酸性硅溶膠中二氧化硅的質量百分比濃度為3％～30％，pH≦4.0；酸性納米氧化錫分散液中，氧化錫的質量百分比濃度為2％～40％，pH≦4.0；納米氧化錫粒徑小于10nm，硅溶膠中納米二氧化硅粒徑小于100nm。

3.根據權利要求2所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，納米氧化錫粒徑≦5nm。

4.根據權利要求3所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，納米氧化錫均勻彌散分布于納米二氧化硅之間形成固相，固相中二氧化硅的質量百分比為70％～98％，納米氧化錫的質量百分比為2％～30％。

5.根據權利要求1所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，納米氧化錫分散液按比例加入酸性硅溶膠中，攪拌反應溫度20℃～100℃，攪拌時間10～100分鐘。

6.根據權利要求5所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，納米氧化錫包括酸性納米氧化錫、摻銻氧化錫和摻鉍氧化錫一項以上。

7.根據權利要求6所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，硅溶膠與氧化錫溶液攪拌反應后，加入二氧化硅質量的5-20％的模板劑，20～100℃攪拌5～30分鐘，加入pH調節劑，調pH6～8，靜置陳化4～40小時，陳化溫度50℃～150℃。

8.根據權利要求7所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，該制備方法中氧化硅、氧化錫、模板劑總固含量質量百分比為5％～20％，余量為水；加入反應物陳化前pH調節劑包括堿金屬氫氧化物、氫氧化銨和有機堿一項以上。

9.根據權利要求1-8任意一項所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，模板劑包括表面活性劑、聚乙二醇、檸檬酸和草酸一項以上。

10.根據權利要求9所述的一種氧化錫/氧化硅光觸媒多孔納米復合材料的制備方法，其特征在于，干燥后的凝膠粉碎后，焙燒溫度300℃～800℃，時間1～12小時。