[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210608464.5 | 申請日: | 2022-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN115064533A | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金慧俊;秦丹丹 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 臧靜 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
靜電釋放組件,包括多個間隔設置的靜電釋放塊;
第一引線,所述第一引線段的一端連接于至少一個所述靜電釋放塊;
第二引線,連接于所述第一引線遠離所述靜電釋放塊的一端,所述第二引線的阻抗小于所述第一引線的阻抗。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括第三引線和第四引線,多個所述靜電釋放塊包括第一靜電釋放塊和第二靜電釋放塊,所述第一靜電釋放塊通過所述第一引線連接所述第二引線,且所述第二引線和所述第三引線過孔連接;
所述第二靜電釋放塊連接于所述第四引線,且所述第四引線和所述第三引線異層設置。
3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第二引線和所述第四引線同層設置且材料相同。
4.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第三引線位于所述靜電釋放塊在第一方向上的一側,所述第一靜電釋放塊位于所述第二靜電釋放塊朝向所述第三引線的一側。
5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,多個所述第一靜電釋放塊沿所述第二方向間隔分布,多個所述第二靜電釋放塊沿所述第二方向間隔分布,且多個所述第一靜電釋放塊位于多個所述第二靜電釋放塊在第一方向上朝向所述第三引線的一側。
6.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第二引線包括第一分段和第二分段,所述第一分段位于所述第一靜電釋放塊在所述第二方向上的一側,所述第二分段連接于所述第一引線在所述第一方向上遠離所述第一靜電釋放塊延伸設置,且所述第二分段在所述第二方向上朝向所述靜電釋放塊傾斜延伸設置,所述第一引線連接于所述第一靜電釋放塊在所述第一方向上的一側,且所述第一引線連接于所述第二分段和所述第一靜電釋放塊之間。
7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,各所述第二分段與所述第二方向的夾角均相等。
8.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一引線沿所述第一方向延伸。
9.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一引線為幾字型或所述第一引線沿彎折路徑延伸呈蛇形。
10.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,多個所述第一靜電釋放塊對應的所述第一引線與所述第二引線的連接點位于在所述第二方向上延伸的一直線上。
11.根據(jù)權利要求10所述的陣列基板,其特征在于,相鄰所述連接點之間的距離均相等。
12.根據(jù)權利要求10所述的陣列基板,其特征在于,各所述第一引線的形狀相同。
13.根據(jù)權利要求10所述的陣列基板,其特征在于,各所述第一引線的總長度相同。
14.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一引線和所述第二引線相互層疊設置。
15.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
柵極金屬層,所述第三引線位于所述柵極金屬層;
源漏極金屬層,與所述柵極金屬層層疊設置并相互絕緣,所述第二引線和所述第四引線位于所述源漏極金屬層。
16.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1-15任一項所述的陣列基板。
17.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求16所述的顯示面板。
18.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
制備靜電釋放組件,所述靜電釋放組件包括多個間隔設置的靜電釋放塊;
制備導體材料層,并進行圖案化處理獲得第一引線,所述第一引線段的一端連接于至少一個所述靜電釋放塊;
在所述導體材料層的一側制備金屬材料層,并進行圖案化處理獲得第二引線,所述第二引線連接于所述第一引線遠離所述靜電釋放塊的一端,所述第二引線的阻抗小于所述第一引線的阻抗。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海中航光電子有限公司,未經(jīng)上海中航光電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210608464.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





