[發明專利]半導體激光器及其制造方法在審
| 申請號： | 202210608415.1 | 申請日： | 2022-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN114976853A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 楊冰;袁俊 | 申請（專利權）人： | 湖北九峰山實驗室 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐華 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體激光器 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體激光器，其特征在于，包括：
半導體襯底，具有相對的第一表面和第二表面；
位于所述第一表面的功能層；
位于所述功能層背離所述半導體襯底一側的激光器元件；
其中，所述功能層用于提高所述激光器元件工作熱量傳導至所述半導體襯底的速率，并降低所述半導體襯底對所述激光器元件出射光線的反射。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述功能層包括石墨稀層，所述石墨稀層包括多個穿透所述石墨稀層的鏤空區域。
3.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體襯底為SiC襯底，所述功能層是所述SiC襯底對應所述第一表面的一側加熱轉換的石墨稀層。
4.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述石墨稀層是石墨稀沉積層。
5.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述鏤空區域的深度不小于所述石墨稀層的厚度。
6.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述鏤空區域陣列排布，所述鏤空區域為圓形、三角形、矩形中的任一種。
7.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述石墨稀層的厚度小于10nm。
8.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述激光器元件包括：
位于所述功能層背離所述半導體襯底一側的外延層；
位于所述外延層背離所述功能層一側的有源層，所述有源層露出部分所述外延層；
位于所述有源層背離所述外延層一側的第一電極；
位于所述有源層露出所述外延層表面的第二電極。
9.一種半導體激光器的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半導體襯底，具有相對的第一表面和第二表面；
在所述第一表面形成功能層；
在所述功能層背離所述半導體襯底一側形成激光器元件；
其中，所述功能層用于提高所述激光器元件工作熱量傳導至所述半導體襯底的速率，并降低所述半導體襯底對所述激光器元件出射光線的反射。
10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述第一表面形成功能層，包括：
在所述第一表面形成石墨烯層作為所述功能層，所述石墨稀層包括多個穿透所述石墨稀層的鏤空區域。
11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為SiC襯底；
在所述第一表面形成石墨烯作為所述功能層，包括：
在預設溫度下，對所述SiC襯底進行加熱，使得所述SiC襯底對應所述第一表面的一側轉換為所述石墨烯層。
12.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，在所述第一表面形成石墨烯作為所述功能層，包括：
通過沉積工藝，在所述第一表面沉積所述石墨烯層。
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