[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備的控制方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210607025.2
• 申請(qǐng)日: 2022-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114823429A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 蘭天爵

1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的控制方法，其特征在于，包括：

步驟S1、記錄每片晶圓的工藝歷程信息；

步驟S2、當(dāng)所述晶圓的加工工藝中斷時(shí)，根據(jù)所述工藝歷程信息判斷每片所述晶圓是否需要冷卻；

步驟S3、響應(yīng)于一鍵回傳指令，將需要進(jìn)行冷卻工藝的所述晶圓傳輸至冷卻腔室進(jìn)行冷卻工藝，并將冷卻后的所述晶圓傳輸至晶圓儲(chǔ)存裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述工藝歷程信息包括用于確定所述晶圓是否進(jìn)行冷卻的冷卻指令信息，所述步驟S1，具體包括：

獲取所述晶圓當(dāng)前所處腔室的類型；

當(dāng)所述晶圓當(dāng)前所處腔室為高溫腔室時(shí)，生成指向于需要進(jìn)行冷卻的第一冷卻指令信息；

所述根據(jù)所述工藝歷程信息判斷每片所述晶圓是否需要冷卻，具體包括：

當(dāng)所述冷卻指令信息為所述第一冷卻指令信息時(shí)，所述晶圓需要冷卻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述步驟S1，還包括：

當(dāng)所述晶圓當(dāng)前所處腔室為冷卻腔室時(shí)，判斷冷卻工藝是否執(zhí)行完畢；

當(dāng)所述冷卻工藝執(zhí)行完畢時(shí)，生成指向于不需要進(jìn)行冷卻的第二冷卻指令信息；

所述根據(jù)所述工藝歷程信息判斷每片所述晶圓是否需要冷卻，還包括：

當(dāng)所述冷卻指令信息為所述第二冷卻指令信息時(shí)，所述晶圓不需要冷卻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述步驟S1，還包括：

當(dāng)所述冷卻工藝未執(zhí)行完畢時(shí)，生成指向于需要進(jìn)行冷卻的所述第一冷卻指令信息。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述冷卻腔室的數(shù)量為至少兩個(gè)，所述控制方法還包括：

顯示腔室配置界面；

判斷用戶是否在所述腔室配置界面輸入腔室配置信息；

所述將需要進(jìn)行冷卻工藝的所述晶圓傳輸至冷卻腔室進(jìn)行冷卻工藝，具體包括：

當(dāng)存在所述腔室配置信息時(shí)，將需要進(jìn)行冷卻工藝的所述晶圓傳輸至所述腔室配置信息對(duì)應(yīng)的所述冷卻腔室。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括：

當(dāng)用戶未在所述腔室配置界面輸入腔室配置信息時(shí)，輸出第一提示信息。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括：

顯示冷卻工藝配置界面；

判斷用戶是否在所述冷卻工藝配置界面輸入工藝配置信息；

所述將需要進(jìn)行冷卻工藝的所述晶圓傳輸至冷卻腔室進(jìn)行冷卻工藝，具體還包括：

當(dāng)存在所述工藝配置信息時(shí)，將需要進(jìn)行冷卻工藝的所述晶圓傳輸至所述冷卻腔室，并執(zhí)行所述工藝配置信息對(duì)應(yīng)的冷卻工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括：

當(dāng)用戶未在所述冷卻工藝配置界面輸入工藝配置信息時(shí)，輸出第二提醒信息。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述步驟S3還包括：

將不需要進(jìn)行冷卻的所述晶圓直接傳輸至所述晶圓儲(chǔ)存裝置。

10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，應(yīng)用權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括高溫腔室、冷卻腔室、傳輸裝置和晶圓儲(chǔ)存裝置，所述傳輸裝置用于使每片晶圓在所述冷卻腔室、所述高溫腔室和所述晶圓儲(chǔ)存裝置之間運(yùn)動(dòng)，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備還包括：

記錄模塊，用于記錄每片所述晶圓的工藝歷程信息；

判斷模塊，用于在所述晶圓的加工工藝中斷時(shí)，根據(jù)所述工藝歷程信息判斷每片所述晶圓是否需要冷卻；

控制模塊，用于響應(yīng)于一鍵回傳指令，控制所述傳輸裝置將需要進(jìn)行冷卻工藝的所述晶圓傳輸至冷卻腔室進(jìn)行冷卻工藝，并控制所述傳輸裝置將冷卻后的所述晶圓傳輸至所述晶圓儲(chǔ)存裝置。