[發明專利]一種掩膜版的制作方法

在審

• 申請號: 202210601715.7
• 申請日: 2022-05-30
• 公開（公告）號: CN115094419A
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 姜太赫;周俊吉;楊凡;李博;李哲
• 申請（專利權）人: 成都拓維高科光電科技有限公司
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02;C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 成都蓉創智匯知識產權代理有限公司 51276
• 代理人: 譚新民

本申請公開了一種掩膜版的制作方法，包括以下步驟：S1:基板,面A向上，面B為面A的相對面；S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成第一凹部和預凹部；S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，然后從面A或面B中的一面向基板噴射刻蝕，刻蝕后形成第二凹部，第一凹部與第二凹部貫通。本申請制作的掩膜版用于蒸鍍，使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。

技術領域

本申請涉及蒸鍍領域，特別涉及一種掩膜版的制作方法。

背景技術

有機電致發光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲等優點在顯示面板領域占比逐漸增大。

隨著OLED顯示對于窄邊框及無邊框的需求越來越高，對于公共層掩膜版的精度需求也越來越高，為了滿足高精度的蒸鍍需求，掩膜版制作廠商正努力提高公共層掩膜版制作精度。

現有技術中，公共層掩膜版通過照相平板印刷術在金屬基板上刻蝕出貫通孔，形成基板的開口，此種工藝制作出的公共層掩膜版如圖1，圖1中，基板1經過兩步刻蝕在基板1上形成若干貫通孔，貫通孔朝向面A的為第一凹部2，貫通孔朝向面B的為第二凹部3，第一凹部2的深度為h₁,第二凹部3的深度為h₂,第二凹部3的寬度第一凹部2的寬度，h₂h₁,第一凹部2與第二凹部3的底面并不在同一平面，第一凹部2的底面與第二凹部3的底面之間為尖銳部5，尖銳部5深度為h3，h3＝基板1的高度-h1-h2，h3為10μm左右，尖銳部5圍成開口4，開口4形狀為由面B至面A漸擴，第二凹部3弧線的端點連線與水平面的夾角與面B的夾角為α，尖銳部5與垂直方向(或法線方向)的夾角為θ。

圖1的公共層掩膜版用于蒸鍍，形成的產品在要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常。

發明內容

基于上述問題，本申請提供一種掩膜版的制作方法，該方法使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。

一種掩膜版的制作方法，包括以下步驟：

S1:基板,面A向上，面B為面A的相對面；

S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成第一凹部和預凹部；

S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，然后從面A或面B中的一面向基板噴射刻蝕，刻蝕后形成第二凹部，第一凹部與第二凹部貫通。

可選地，所述S3中，刻蝕時，面B向上，刻蝕液從下方向面A噴射。

可選地，S3中，刻蝕前，面A待蝕刻區域的面積小于面B待蝕刻區域的面積。

本申請還提高一種掩膜版，該掩膜版由上述的方法制備而成。

一種掩膜版，包括基板，該基板上由面A到面B方向設置有若干貫通孔，每一貫通孔朝向面A的為第一凹部，貫通孔朝向面B的為第二凹部，第一凹部的深度為h₁,第二凹部的深度為h₂，所述第一凹部的底面與第二凹部的底面之間距離h₃＝基板的高度h₀-h₁-h₂，h₃趨近于0。

可選地，所述第二凹部的寬度第一凹部的寬度。

可選地，所述h₂h₁。

可選地，所述第一凹部的水平截面外輪廓線為圓形，第二凹部的水平截面外輪廓線為圓形。