[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)以及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210598288.1
• 申請(qǐng)日: 2022-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115442723A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖顯根;羅炯成
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 知微電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H04R19/02
• 分類(lèi)號(hào): H04R19/02;B81B7/00;B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;葉明川

本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)以及其制造方法，所述發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)包括第一子封裝結(jié)構(gòu)與第二子封裝結(jié)構(gòu)。第一子封裝結(jié)構(gòu)包括第一基板與第一芯片，第一基板具有第一開(kāi)口，第一芯片包括第一振膜，并連接于第一基板，其中第一音腔形成在第一振膜與第一基板之間。第二子封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一子封裝結(jié)構(gòu)上，其中第一子封裝結(jié)構(gòu)與第二子封裝結(jié)構(gòu)彼此堆迭，第二子封裝結(jié)構(gòu)包括第二基板與第二芯片。第二基板連接于第一基板，并具有第二開(kāi)口，其中第二開(kāi)口與第一開(kāi)口彼此連接。第二芯片包括第二振膜，并連接于第二基板，其中第二音腔形成在第二振膜與第二基板之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)以及其制造方法，特別是涉及一種用以保護(hù)具有用來(lái)產(chǎn)生聲波的振膜的芯片的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)以及其制造方法。

背景技術(shù)

由于微型發(fā)聲裝置(如，微機(jī)電系統(tǒng)(micro electro mechanical system,MEMS)微型揚(yáng)聲器)因?yàn)槠潴w積小而可廣泛應(yīng)用于各式電子裝置中，因此近年來(lái)微型發(fā)聲裝置發(fā)展迅速。舉例而言，MEMS微型揚(yáng)聲器可使用薄膜壓電材料作為致動(dòng)件和單晶硅薄膜作為振膜，而它們由至少一半導(dǎo)體工藝所形成。

然而，微型發(fā)聲裝置由于其體積小且結(jié)構(gòu)脆弱，因此需要受到保護(hù)。據(jù)此，需要提供一種封裝結(jié)構(gòu)來(lái)保護(hù)微型發(fā)聲裝置。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種用以保護(hù)具有用來(lái)產(chǎn)生聲音的振膜的芯片的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)，并提供一種此發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一子封裝結(jié)構(gòu)與第二子封裝結(jié)構(gòu)。第一子封裝結(jié)構(gòu)包括第一基板與第一芯片，第一基板具有第一開(kāi)口，第一芯片包括第一振膜，并連接于第一基板，其中第一音腔形成在第一振膜與第一基板之間。第二子封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一子封裝結(jié)構(gòu)上，其中第一子封裝結(jié)構(gòu)與第二子封裝結(jié)構(gòu)彼此堆迭，第二子封裝結(jié)構(gòu)包括第二基板與第二芯片。第二基板連接于第一基板，并具有第二開(kāi)口，其中第二開(kāi)口與第一開(kāi)口彼此連接。第二芯片包括第二振膜，并連接于第二基板，其中第二音腔形成在第二振膜與第二基板之間。連接于第一開(kāi)口與第二開(kāi)口的間隙形成在第一基板與第二基板之間，使得發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)外的環(huán)境、第一音腔與第二音腔彼此連接。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：制造第一子封裝結(jié)構(gòu)，其中制造第一子封裝結(jié)構(gòu)的步驟包括設(shè)置第一芯片在第一基板上，其中第一開(kāi)口形成在第一基板中，第一音腔形成在第一基板與第一芯片的第一振膜之間；制造第二子封裝結(jié)構(gòu)，其中制造第二子封裝結(jié)構(gòu)的步驟包括設(shè)置第二芯片在第二基板上，其中第二開(kāi)口形成在第二基板中，第二音腔形成在第二基板與第二芯片的第二振膜之間；連接第二子封裝結(jié)構(gòu)與第一子封裝結(jié)構(gòu)，其中第一基板連接于第二基板，第一基板與第二基板在第一芯片與第二芯片之間；以及形成位于第一基板與第二基板之間的間隙；其中間隙連接于第一開(kāi)口與第二開(kāi)口，使得發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)外的環(huán)境、第一音腔與第二音腔彼此連接。

根據(jù)本發(fā)明，可提高發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的良品率與可靠度，并可提升發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的聲波的聲壓電平。

在閱讀了下文繪示有各種附圖的實(shí)施例的詳細(xì)描述之后，對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，應(yīng)可清楚明了本發(fā)明的目的。

附圖說(shuō)明

圖1所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖2所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的第一基板的俯視示意圖。

圖3至圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的制造方法在不同階段時(shí)的結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖7所示為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖8所示為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖9所示為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖10所示為本發(fā)明第五實(shí)施例的發(fā)聲封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。