[發(fā)明專利]一種扇出式封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210597940.8
• 申請日: 2022-05-27
• 公開（公告）號: CN115020247A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杜茂華
• 申請（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 柳芳

本申請公開了一種扇出式封裝方法，該方法包括：提供第一載板，在第一載板上第一表面外圍區(qū)域形成第一線層、以及在所述中心區(qū)域設(shè)置連接芯片；其中，所述第一線層包含多個第一金屬線，相鄰第一金屬線之間具有第一間隔；所述連接芯片的第一功能面朝向所述第一載板；在所述第一線層和所述連接芯片遠(yuǎn)離所述第一載板一側(cè)形成第二線層，所述第二線層與所述第一線層電連接；其中，所述第二線層包含多個第二金屬線，相鄰所述第二金屬線之間具有第二間隔，且所述第一間隔小于所述第二間隔；去除所述第一載板，在所述第一線層遠(yuǎn)離所述第二線層一側(cè)設(shè)置多個與所述連接芯片相連接的第一芯片。通過上述方式，本申請能夠降低封裝成本，提高芯片封裝良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種扇出式封裝方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的芯片封裝方法中，大多采用先制作再布線層，再將芯片貼裝到再布線層上的方法。其中，再布線層用于芯片與其他器件之間的互連。再布線層包括多層線層結(jié)構(gòu)，通常靠近芯片的線層的尺寸大于遠(yuǎn)離芯片的線層的尺寸，且靠近芯片的線層的間距最小。在制作再布線層的過程中，一般先制作遠(yuǎn)離芯片一端的線層，最后制作與芯片相連的線層。由于在制作過程中材料涂覆的部平整性，該方法容易導(dǎo)致最靠近芯片一側(cè)的線層表面形成起伏，從而影響芯片封裝的質(zhì)量，帶來大量的良率損失。為解決這一問題，可以在制作完每一線層后進(jìn)行表面平整化，但表面平整化工藝成本高、效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種扇出式封裝方法，能夠降低封裝成本，提高芯片封裝良率。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個技術(shù)方案是：提供一種扇出式封裝方法，包括：提供第一載板，所述第一載板包括相背設(shè)置的第一表面和第二表面，且所述第一表面包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域外圍的外圍區(qū)域；在所述外圍區(qū)域形成第一線層、以及在所述中心區(qū)域設(shè)置連接芯片，所述連接芯片包括相背設(shè)置的第一功能面和第一非功能面，所述第一功能面上設(shè)置有多個第一焊盤；其中，所述第一線層包含多個第一金屬線，相鄰第一金屬線之間具有第一間隔；所述連接芯片的第一功能面朝向所述第一載板；在所述第一線層和所述連接芯片遠(yuǎn)離所述第一載板一側(cè)形成第二線層，所述第二線層與所述第一線層電連接；其中，所述第二線層包含多個第二金屬線，相鄰所述第二金屬線之間具有第二間隔，且所述第一間隔小于所述第二間隔；去除所述第一載板，在所述第一線層遠(yuǎn)離所述第二線層一側(cè)設(shè)置多個與所述連接芯片相連接的第一芯片。

其中，所述在所述外圍區(qū)域形成第一線層、以及在所述中心區(qū)域設(shè)置連接芯片的步驟，包括：在所述第一表面上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述第一載板一側(cè)形成光刻膠層；在所述外圍區(qū)域?qū)?yīng)的所述光刻膠層上形成圖案化的第一開口，部分所述保護(hù)層從所述第一開口中露出；在所述第一開口內(nèi)填充導(dǎo)電金屬以形成第一線層，并去除所述光刻膠層；去除所述中心區(qū)域?qū)?yīng)位置處的所述保護(hù)層，將所述連接芯片設(shè)置在所述第一表面的所述中心區(qū)域，所述連接芯片的所述第一功能面朝向所述第一表面。

其中，所述在所述第一線層和所述連接芯片遠(yuǎn)離所述第一載板一側(cè)形成第二線層的步驟，包括：在所述第一載板設(shè)置有所述連接芯片一側(cè)形成第一介電層，所述第一介電層覆蓋所述第一線層和所述連接芯片；在所述外圍區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一介電層上形成多個第一通孔，以及在所述連接芯片對應(yīng)所述第一介電層的位置處形成多個第二開口；其中，部分所述第一線層從所述第一通孔中露出；在所述第二開口以及所述第一通孔內(nèi)填充導(dǎo)電金屬以形成所述第二線層。

其中，在遠(yuǎn)離所述第一載板的方向上，所述第一通孔包括相互連通的第一子通孔和第二子通孔；且所述第一子通孔相對所述第二子通孔靠近所述第一線層，所述第一子通孔的平均內(nèi)徑小于所述第二子通孔的平均內(nèi)徑。

其中，在遠(yuǎn)離所述第一載板方向上，所述第一子通孔的內(nèi)徑逐漸增大；和/或，在遠(yuǎn)離所述第一載板方向上，所述第二子通孔的內(nèi)徑相同。