[發明專利]mos版圖及應用其的mos管單元及功率mos管

在審

• 申請號: 202210591932.2
• 申請日: 2022-05-27
• 公開（公告）號: CN115084128A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 劉道國
• 申請（專利權）人: 深圳市尚鼎芯科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市知高達專利代理有限公司 44869
• 代理人: 劉琴

1.一種mos版圖，其特征在于，根據版圖規則設計版圖，包括有襯底層、源漏層、柵極層和金屬層；其中，源漏層包括有長條和短條，柵極層與長條的形成并聯單元，長條上形成多個第一漏極和第一源極，且相鄰設置的第一源極和第二漏極合并為同一位置；柵極層與短條形成串聯單元，短條上形成多個依次排列的第二漏極、串聯點和第二源極，且相鄰設置的第二源極和第二漏極合并為同一位置。

2.根據權利要求1所述的mos版圖，其特征在于，柵極層由多個柵極單元重復排列組成，柵極單元的排列數量根據長條和短條的組數以及長度所適配。

3.根據權利要求2所述的mos版圖，其特征在于，柵極單元包括分為上區域與下區域，上區域的面積大于下區域的面積；上區域與長條形成并聯單元，下區域與短條形成串聯單元。

4.根據權利要求1所述的mos版圖，其特征在于，金屬層由多組金屬單元重復排列而成，金屬單元的排列數量根據串聯單元與并聯單元的數量所適配。

5.根據權利要求1所述的mos版圖，其特征在于，還包括有的切割層，切除層設有多個用于形成版圖接線位置的切割點，切割點位于合并的第一漏極和第二漏極上位置上，和合并的第二源極和第二源極位置上。

6.一種mos管單元，其特征在于，根據權利要求1至5所述的mos版圖所制得。

7.一種功率mos管，其特征在于，包括多組重復排列的矩陣單元，其矩陣單元為權利要求6所述的mos管單元按照比例排列所得，根據外界所需電流的大小以調整mos管單元的組成數量。

8.根據權利要求7所述的功率mos管，其特征在于，矩陣單元的mos管單元排列比例為40*20。

9.根據權利要求7所述的功率mos管，其特征在于，多組mos管單元的漏極和源極之間還設有保護二極管。