[發明專利]基于硅與鍺銻碲復合納米柱陣列可調諧的紅外窄帶濾光片

在審

• 申請號: 202210591840.4
• 申請日: 2022-05-27
• 公開（公告）號: CN114895396A
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 束方洲;呂旺澤;陶一;張冬芹
• 申請（專利權）人: 中國計量大學
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B5/26;G02B1/00;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
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1.一種基于硅與鍺銻碲復合納米柱陣列可調諧的紅外窄帶濾光片，其特征在于，包括襯底及形成于襯底表面的硅與鍺銻碲復合納米柱陣列；所述硅與鍺銻碲復合納米柱陣列包括多個周期性排布的硅與鍺銻碲復合納米柱，所述硅與鍺銻碲復合納米柱自下而上為硅、鍺銻碲、硅三層納米柱結構，所述硅與鍺銻碲復合納米柱三層的橫截面都為矩形且尺寸相同；所述紅外窄帶濾光片的工作波長可通過鍺銻碲相變動態調節。

2.如權利要求1所述的可調諧的紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述硅與鍺銻碲復合納米柱橫截面的長為1000～1500nm，寬為500～750nm。

3.如權利要求1所述的可調諧的紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述硅與鍺銻碲復合納米柱中硅、鍺銻碲、硅三層結構的厚度自下而上分別為150～250nm，20～50nm，150～250nm。

4.如權利要求1所述的可調諧的紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述硅與鍺銻碲復合納米柱陣列的周期為1450～2200nm。

5.如權利要求1所述的可調諧的紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述襯底為玻璃、硅、氧化鋁、氟化鋇、二氧化鈦中任意一種。

6.一種方法，其特征在于，用于制備權利要求1至5任意一項所述的基于硅與鍺銻碲復合納米柱陣列可調諧的紅外窄帶濾光片，包括以下步驟：

先通過磁控濺射技術在襯底上自下而上鍍上硅、鍺銻碲、硅三層薄膜；

然后在上述薄膜上旋涂一層電子束膠，通過電子束刻蝕技術將所述電子束膠刻蝕成周期性排布的納米柱陣列；

再利用反應離子束刻蝕去除未被電子束膠覆蓋的薄膜；

最后除去剩余電子束膠后得到周期性排布的硅與鍺銻碲復合納米柱陣列。