[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210591294.4
• 申請日: 2022-05-27
• 公開（公告）號: CN115472763A
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉相喜;金會林;樸宰弘;金奎奉;魯承旭;李珠蓮
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

根據(jù)實施方案的發(fā)光元件包括第一電極、與所述第一電極重疊的第二電極、設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)射層、以及設(shè)置在所述發(fā)射層與所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中所述電子傳輸區(qū)包含熱致產(chǎn)酸劑(TAG)。還提供了制造發(fā)光元件的方法。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2021年6月10日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2021-0075389號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利申請的全部內(nèi)容通過援引并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及發(fā)光元件及其制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光元件是其中電能被轉(zhuǎn)換成光能的元件。此類發(fā)光元件的實例包括使用用于發(fā)射層的有機材料的有機發(fā)光元件、使用用于發(fā)射層的量子點的量子點發(fā)光元件等。

發(fā)光元件包括設(shè)置在襯底上的第一電極，以及依次設(shè)置在第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)和第二電極。

從第一電極注入的空穴經(jīng)由空穴傳輸區(qū)移動至發(fā)射層，并且從第二電極注入的電子經(jīng)由電子傳輸區(qū)移動至發(fā)射層。載流子(例如空穴和電子)在發(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。當激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)時產(chǎn)生光。

應(yīng)理解，該背景技術(shù)部分旨在部分地提供用于理解技術(shù)的有用的背景。然而，該背景技術(shù)部分可以還包括在本文公開的主題的相應(yīng)有效申請日之前，不是相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知或理解的內(nèi)容的一部分的觀點、構(gòu)思或認知。

發(fā)明內(nèi)容

實施方案提供了通過向電子傳輸區(qū)提供的熱致產(chǎn)酸劑(TAG)而具有增加的發(fā)光效率和使用壽命的發(fā)光元件及其制造方法。

根據(jù)實施方案，發(fā)光元件可以包括第一電極、與所述第一電極重疊的第二電極、設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)射層、以及設(shè)置在所述發(fā)射層與所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中所述電子傳輸區(qū)可以包含熱致產(chǎn)酸劑(TAG)。

所述電子傳輸區(qū)可以包含其中H⁺與所述TAG分離的第一材料。

所述電子傳輸區(qū)可以進一步包含無機氧化物納米顆粒。

所述H⁺可以鍵合至所述無機氧化物納米顆粒。

所述TAG可以包括基于磺酸酯的化合物。

所述TAG可以包括由化學式1表示的化合物：

[化學式1]

在化學式1中，R₁和R₂可以各自獨立地是取代或未取代的C3至C40脂肪族烴基團、取代或未取代的C6至C40芳香族烴基團或其組合。

所述由化學式1表示的化合物可以包括各自獨立地由化學式2-1、化學式2-2、化學式2-3、化學式2-4、化學式2-5、化學式2-6、化學式2-7、化學式2-8、化學式3-1、化學式3-2、化學式3-3、化學式3-4、化學式3-5和化學式3-6中的一種表示的至少一種化合物：

[化學式2-1]

[化學式2-2]

[化學式2-3]

[化學式2-4]

[化學式2-5]

[化學式2-6]