[發明專利]半導體激光元件、半導體激光器陣列及加工裝置

在審

• 申請號: 202210589729.1
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN115498500A
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 岡本貴敏
• 申請（專利權）人: 松下控股株式會社
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/343;H01S5/40;H01S5/042
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金蘭

1.一種半導體激光元件，配置于具有外部諧振鏡的波長光束耦合型的加工裝置，該半導體激光元件的特征在于，具備：

諧振器結構，具有發出激光的發光層；

第一反射膜，設置于所述諧振器結構的非出射端面，并將所述激光反射；以及

第二反射膜，設置于所述諧振器結構的出射端面，并將所述激光反射，

在將所述諧振器結構以閾值功率的最小值的1.4倍的功率進行激光振蕩時的所述第二反射膜的反射率設為R1，將所述外部諧振鏡的反射率設為R(Oc)，并將來自所述外部諧振鏡的反射光入射到所述諧振器結構內的比例即耦合效率設為C時，所述半導體激光元件的增益波長下的所述第二反射膜的反射率R滿足R1≤R≤R(Oc)×C所示的關系式，其中，所述閾值功率是所述諧振器結構進行激光振蕩的最低功率。

2.如權利要求1所述的半導體激光元件，其中，

所述諧振器結構的長度即諧振器長度為1200μm以上且3000μm以下，

將所述諧振器長度設為x時，所述半導體激光元件的增益波長下的所述第二反射膜的反射率R滿足R≤0.3568e^-0.001x所示的關系式。

3.如權利要求2所述的半導體激光元件，其中，

所述反射率R還滿足0.8613e^-0.003x≤R所示的關系式。

4.一種半導體激光元件，配置于具有外部諧振鏡的波長光束耦合型的加工裝置，該半導體激光元件的特征在于，具備：

諧振器結構，具有發出激光的發光層；

第一反射膜，設置于所述諧振器結構的非出射端面，并將所述激光反射；以及

第二反射膜，設置于所述諧振器結構的出射端面，并將所述激光反射，

在將所述諧振器結構以閾值功率的最小值的1.4倍的功率進行激光振蕩時的所述第二反射膜的反射率設為R1，將所述外部諧振鏡的反射率設為R(Oc)，并將來自所述外部諧振鏡的反射光入射到所述諧振器結構內的比例即耦合效率設為C時，所述半導體激光元件的增益波長下的所述第二反射膜的反射率R滿足R1≤R≤2×R(Oc)×C所示的關系式，其中，所述閾值功率是所述諧振器結構進行激光振蕩的最低功率。

5.一種半導體激光元件，配置于具有外部諧振鏡的波長光束耦合型的加工裝置，該半導體激光元件的特征在于，具備：

諧振器結構，具有發出激光的發光層；

第一反射膜，設置于所述諧振器結構的非出射端面，并將所述激光反射；以及

第二反射膜，設置于所述諧振器結構的出射端面，并將所述激光反射，

在將所述諧振器結構以閾值功率的最小值的1.4倍的功率進行激光振蕩時的所述第二反射膜的反射率設為R1，將所述外部諧振鏡的反射率設為R(Oc)，并將來自所述外部諧振鏡的反射光入射到所述諧振器結構內的比例即耦合效率設為C時，所述半導體激光元件的增益波長下的所述第二反射膜的反射率R滿足R1≤R≤3×R(Oc)×C所示的關系式，其中，所述閾值功率是所述諧振器結構進行激光振蕩的最低功率。

6.一種波長光束耦合型的加工裝置，其特征在于，具備權利要求1至5中的任一項所述的半導體激光元件。

7.一種半導體激光器陣列，其特征在于，具有多個半導體激光元件，該半導體激光元件是權利要求1至5中的任一項所述的半導體激光元件。

8.一種波長光束耦合型的加工裝置，其特征在于，具備權利要求7所述的半導體激光器陣列。