[發明專利]一種多散射中心的半實物射頻仿真方法

在審

• 申請號: 202210589023.5
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN115034044A
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 唐波;郭琨毅
• 申請（專利權）人: 北京科技大學;北京理工大學
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F111/10
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種多散射中心的半實物射頻仿真方法，其特征在于，包括：

對仿真場景建立數學坐標系；

根據建立的仿真場景的數學坐標系，對多散射中心進行分組；

將每個分組中的散射中心合成為一個散射中心；

計算各分組的合成散射中心的半實物射頻仿真三元組的饋電系數。

2.根據權利要求1所述的多散射中心的半實物射頻仿真方法，其特征在于，所述對仿真場景建立數學坐標系包括：

以導引頭的輻射口面中心點為坐標原點，建立xyz直角坐標系；其中，以導引頭的輻射口面為xy面，導引頭天線陣列的兩個正交的基線方向分別為x方向和y方向，三元組中第i個輻射單元的坐標為(x_i,y_i,z_i)，z_i＞＞x_i,y_i，i＝1,2,3；則三元組中第i個輻射單元在x、y兩個方向上相對于z軸的角位置為：

其中，asin(·)表示反正弦函數，ψ_xi、ψ_yi分別為三元組中第i個輻射單元在x方向、y方向上相對于z軸的角位置；

令第一散射中心的坐標為(x,y,z)，z＞＞x,y，則所述第一散射中心在x、y兩個方向上相對于z軸的角位置為：

其中，所述第一散射中心為任一散射中心，ψ_x、ψ_y分別為所述第一散射中心在x方向、y方向上相對于z軸的角位置。

3.根據權利要求1所述的多散射中心的半實物射頻仿真方法，其特征在于，所述根據建立的仿真場景的數學坐標系，對多散射中心進行分組包括：

A1，將所有的散射中心分成若干組；

A2，根據散射中心的角位置及其散射系數，估算在不同的分組形式下各組合成散射中心的角位置，判斷各組的合成散射中心的角位置是否都落在輻射天線陣列面內，若是，則完成分組，否則，返回步驟A1重新執行分組操作。

4.根據權利要求1所述的多散射中心的半實物射頻仿真方法，其特征在于，所述將每個分組中的散射中心合成為一個散射中心包括：

分組后，計算各組的合成電場和磁場；

根據計算得到的各組的合成電場和磁場，計算各組的能流密度矢量的方向，得到各組的合成散射中心的角位置其中，表示第m組的合成散射中心在x方向、y方向上相對于z軸的角位置，m＝1,2,...,M，M為組數。

5.根據權利要求4所述的多散射中心的半實物射頻仿真方法，其特征在于，所述計算各分組的合成散射中心的半實物射頻仿真三元組的饋電系數包括：

計算處的合成散射中心的半實物射頻仿真三元組的饋電系數。