[發(fā)明專利]晶圓劃傷的檢測(cè)裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210587674.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114899121A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張建偉;趙天罡;施文心 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 袁榕 |
| 地址: | 10008*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 劃傷 檢測(cè) 裝置 | ||
本發(fā)明涉及晶圓劃傷的檢測(cè)裝置,包括上位機(jī)、移動(dòng)平臺(tái)、暗場(chǎng)光源、掃描單元以及自動(dòng)對(duì)焦單元,移動(dòng)平臺(tái)用于承載晶圓,且與上位機(jī)電連接,上位機(jī)用于控制移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng)。暗場(chǎng)光源用于發(fā)射暗場(chǎng)光束至移動(dòng)平臺(tái)。掃描單元位于晶圓反射的暗場(chǎng)光束的光路上,掃描單元與上位機(jī)電連接。自動(dòng)對(duì)焦單元位于晶圓反射的暗場(chǎng)光束的光路上,自動(dòng)對(duì)焦單元與上位機(jī)電連接。暗場(chǎng)光束有利于識(shí)別晶圓上的細(xì)長(zhǎng)劃痕。自動(dòng)對(duì)焦單元用于通過(guò)上位機(jī)控制移動(dòng)平臺(tái)或者掃描單元移動(dòng),以使得晶圓位于掃描單元的焦點(diǎn)上。使用自動(dòng)對(duì)焦單元在檢測(cè)過(guò)程中進(jìn)行實(shí)時(shí)對(duì)焦處理,從而能夠保證掃描單元拍攝圖像清晰,保證缺陷的檢出。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及劃傷檢測(cè)裝置技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種晶圓劃傷的檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)
晶圓是一種重要的基底材料,常用于微納器件的加工。在其制備的過(guò)程中,通常使用機(jī)械方法對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行切割,形成晶片,并對(duì)其表面進(jìn)行拋光。然而在這一過(guò)程中,可能會(huì)對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面帶來(lái)?yè)p傷,其中一類即為寬度僅為微米至亞微米量級(jí)的劃傷。這種劃傷缺陷特征在于其寬度尺寸較小,但是長(zhǎng)度尺寸較長(zhǎng)。
現(xiàn)有技術(shù)一般采取濕法刻蝕或激光脈沖輻照的方式對(duì)劃傷缺陷進(jìn)行檢測(cè),但是上述方法容易導(dǎo)致晶圓上的劃傷缺陷進(jìn)一步擴(kuò)大,使得半導(dǎo)體晶片受到二次損傷。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)晶圓進(jìn)行劃傷缺陷檢測(cè)時(shí)容易導(dǎo)致的劃傷缺陷進(jìn)一步擴(kuò)大的問(wèn)題,提出一種晶圓劃傷的檢測(cè)裝置。
一種晶圓劃傷的檢測(cè)裝置,包括:
上位機(jī);
移動(dòng)平臺(tái),用于承載晶圓,所述移動(dòng)平臺(tái)與所述上位機(jī)電連接,所述上位機(jī)用于控制所述移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng);
暗場(chǎng)光源,用于發(fā)射暗場(chǎng)光束至所述移動(dòng)平臺(tái);
掃描單元,位于晶圓反射的暗場(chǎng)光束的光路上,所述掃描單元與所述上位機(jī)電連接;
自動(dòng)對(duì)焦單元,位于晶圓反射的暗場(chǎng)光束的光路上,所述自動(dòng)對(duì)焦單元與所述上位機(jī)電連接。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述暗場(chǎng)光源與所述掃描單元的相對(duì)位置固定,所述暗場(chǎng)光源的聚焦位置與所述掃描單元的焦點(diǎn)位置相同。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述暗場(chǎng)光源設(shè)置在所述移動(dòng)平臺(tái)遠(yuǎn)離所述掃描單元的一側(cè)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述暗場(chǎng)光源設(shè)置在所述移動(dòng)平臺(tái)與所述掃描單元之間,所述暗場(chǎng)光源包括第一反射鏡、暗場(chǎng)物鏡和發(fā)射光源,所述第一反射鏡和所述暗場(chǎng)物鏡依次排列在晶圓反射的暗場(chǎng)光束的光路上,且所述暗場(chǎng)物鏡位于所述第一反射鏡靠近所述移動(dòng)平臺(tái)的一側(cè),所述第一反射鏡用于將所述發(fā)射光源發(fā)出的光束反射至所述暗場(chǎng)物鏡。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一反射鏡為環(huán)形結(jié)構(gòu)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述自動(dòng)對(duì)焦單元與所述掃描單元的相對(duì)位置固定,所述自動(dòng)對(duì)焦單元的焦點(diǎn)位置與所述掃描單元的焦點(diǎn)位置相同。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述檢測(cè)裝置還包括第二反射鏡,所述第二反射鏡設(shè)置在光路上,所述第一反射鏡用于將光路上的部分光線反射至所述自動(dòng)對(duì)焦單元。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述移動(dòng)平臺(tái)能夠相對(duì)于所述掃描單元移動(dòng),所述移動(dòng)平臺(tái)相對(duì)于所述掃描單元的移動(dòng)路徑包括相互交叉的兩組移動(dòng)線路,每一組所述移動(dòng)線路包括相互平行的多條移動(dòng)線路。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述移動(dòng)平臺(tái)包括X軸移動(dòng)模組和Y軸移動(dòng)模組,任意一條所述移動(dòng)線路分別與所述X軸移動(dòng)模組相交,以及與所述Y軸移動(dòng)模組相交,所述X軸移動(dòng)模組和Y軸移動(dòng)模組用于同時(shí)帶動(dòng)所述晶圓沿所述移動(dòng)線路移動(dòng)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述移動(dòng)平臺(tái)包括Z軸移動(dòng)模組,所述X軸移動(dòng)模組和Y軸移動(dòng)模組位于所述Z軸移動(dòng)模組上,所述Z軸移動(dòng)模組用于通過(guò)所述X軸移動(dòng)模組和Y軸移動(dòng)模組帶動(dòng)晶圓沿Z軸方向移動(dòng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
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