[發明專利]MOSFET的自動布局方法及裝置

有效

• 申請號: 202210587410.5
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN114943200B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 葉佐昌;王燕;郝晶磊
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 羅嵐

本申請涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種MOSFET的自動布局方法及裝置。其中，該MOSFET的自動布局方法，包括：獲取至少一個金屬氧化物半導體場效應晶體管MOS參數集合；根據MOS布局Layout模塊，基于至少一個MOS參數集合，構建至少兩個MOS模塊；根據MOS數組Array模塊，對至少兩個MOS模塊進行布局，以得到至少兩個MOS模塊對應的電路版圖。采用上述方案的本申請可以降低MOSFET的布局成本和出錯率，提高MOSFET的布局效率，統一MOSFET布局時的擺放標準。

技術領域

本申請涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種MOSFET的自動布局方法及裝置。

背景技術

集成電路(Integrated?Circuit，IC)，是把一定數量的常用電子元件，如電阻、電容、晶體管等，以及這些元件之間的連線，通過半導體工藝集成在一起的具有特定功能的微型電子器件或部件。因此，集成電路具有體積小、重量輕、引腳少、壽命長、可靠性高、成本低、性能好等優點，同時還便于大規模生產。

隨著集成電路的高速發展，單個芯片中包含的金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，MOSFET，MOS)的數量越來越多。然而，相關技術中，在芯片中的模擬電路的設計過程中，需要人工手動進行MOSFET布局。但是，人工手動進行MOSFET布局對操作人員的要求較高，需要操作人員懂得大量版圖知識，布局成本較高。同時，需要手動控制每個MOSFET的連接，效率較低且出錯率較高。另外，人工手動進行MOSFET布局時采用的擺放標準個性化，實現相同的功能的情況下，不同操作人員布局得到的版圖不同。

發明內容

本申請旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。

為此，本申請的第一個目的在于提出一種MOSFET的自動布局方法，以降低MOSFET的布局成本和出錯率，提高MOSFET的布局效率，統一MOSFET布局時的擺放標準。

本申請的第二個目的在于提出一種MOSFET的自動布局裝置。

為達到上述目的，本申請第一方面實施例提出的一種MOSFET的自動布局方法，包括：

獲取至少一個金屬氧化物半導體場效應晶體管MOS參數集合；

根據MOS布局Layout模塊，基于所述至少一個MOS參數集合，構建至少兩個MOS模塊；

根據MOS數組Array模塊，對所述至少兩個MOS模塊進行布局，以得到所述至少兩個MOS模塊對應的電路版圖。

可選地，在本申請的一個實施例中，所述MOS參數集合包括漏極節點參數、柵極節點參數、源極節點參數、漏極源極偏移參數、漏極源極間距參數、過孔層最小寬度參數，所述過孔層最小參數對應的過孔層用于連接第一金屬層和第二金屬層，所述根據MOS布局Layout模塊，基于所述至少一個MOS參數集合，構建至少兩個MOS模塊，包括：

基于所述漏極節點參數、柵極節點參數和源極節點參數，生成漏極節點、柵極節點和源極節點；

構建漏極矩形，所述漏極矩形包括大小相同的第一有源區層矩形和第一第一金屬層矩形，所述第一有源區層矩形和所述第一第一金屬層矩形連接至所述漏極節點，所述第一第一金屬層矩形為MOS模塊的源極端口；

構建源極矩形，所述源極矩形包括大小相同的第二有源區層矩形和第二第一金屬層矩形，所述第二有源區層矩形和所述第二第一金屬層矩形均連接至所述源極節點，所述第二第一金屬層矩形為MOS模塊的漏極端口；

構建柵極矩形，所述柵極矩形為多晶硅層矩形，所述多晶硅層矩形連接至所述柵極節點，所述多晶硅層矩形為MOS模塊的柵極端口；

根據所述漏極源極偏移參數、所述漏極源極間距參數和所述過孔層最小寬度參數，構建第三有源區層矩形；