[發明專利]改善在晶圓上旋涂光刻膠中邊緣風旋產生的方法

在審

• 申請號: 202210586026.3
• 申請日: 2022-05-26
• 公開（公告）號: CN115327854A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 方正;吳長明;馮大貴;姚振海;金樂群;王緒根;楊偉;王宇凡
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

本發明提供一種改善在晶圓上旋涂光刻膠中邊緣風旋產生的方法，提供晶圓和光刻膠旋涂機，利用光刻膠旋涂機在晶圓表面形成光刻膠層；利用光刻膠旋涂機以第一轉速旋涂光刻膠層，用以減薄光刻膠層；降低光刻膠旋涂機的轉速至第二轉速，之后旋涂光刻膠層至設定的厚度。本發明的方法消除了晶圓旋涂光刻膠時產生的風旋，提升了光刻膠膜厚均勻性；減少機臺因為光刻膠膜厚異常而導致的宕機，提高了產量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種改善在晶圓上旋涂光刻膠中邊緣風旋產生的方法。

背景技術

晶圓工廠中光刻部門的工藝主要分為涂膠-曝光-顯影三個環節。涂膠環節是在晶圓上通過旋轉涂敷一層光刻膠膜，且需要實現指定的厚度和均勻性。

在12寸晶圓上旋涂涂高粘度光刻膠時，為了甩去多余的光刻膠并達到指定的厚度，會用到很高的轉速。而12寸晶圓邊緣線速度相對8寸晶圓更大(圖1,V1V2)，因此容易出現風旋(圖2)，表現為邊緣光刻膠膜的厚度不均勻(圖3)，從而影響該晶圓邊緣的芯片圖形。

為此，需要一種新的方法改善風旋的產生，提升光刻膠膜厚均勻性。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種改善在晶圓上旋涂光刻膠中邊緣風旋產生的方法，用于解決現有技術中12寸晶圓邊緣線速度相對8寸晶圓更大，因此容易出現風旋，晶圓邊緣光刻膠膜的厚度不均勻，影響該晶圓邊緣的芯片圖形的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種改善在晶圓上旋涂光刻膠中邊緣風旋產生的方法，包括：

步驟一、提供晶圓和光刻膠旋涂機，利用所述光刻膠旋涂機在所述晶圓表面形成光刻膠層；

步驟二、利用所述光刻膠旋涂機以第一轉速旋涂所述光刻膠層，用以減薄所述光刻膠層；

步驟三、降低所述光刻膠旋涂機的轉速至第二轉速，之后旋涂所述光刻膠層至設定的厚度。

優選地，步驟一中所述光刻膠旋涂機以2000轉/每分鐘在所述晶圓表面形成所述光刻膠層。

優選地，步驟二中在所述晶圓表面形成所述光刻膠層1至2S后將所述光刻膠旋涂機的轉速調節至第一轉速。

優選地，步驟二中的所述第一轉速為2500至3200轉/每分鐘。

優選地，步驟二中的所述光刻膠旋涂機以3200轉/每分鐘的轉速旋涂所述光刻膠層1.2s，之后以2500轉/每分鐘的轉速旋涂所述光刻膠層1S。

優選地，步驟三中所述光刻膠旋涂機以所述第二轉速旋涂所述光刻膠層30S。

優選地，步驟三中的所述第二轉速為1390轉/每分。

優選地，所述方法還包括步驟四、調節所述光刻膠旋涂機的轉速旋涂所述光刻膠層。

優選地，所述方法用于在12寸晶圓上旋涂光刻膠。

如上所述，本發明的改善在晶圓上旋涂光刻膠中邊緣風旋產生的方法，具有以下有益效果：本發明的方法消除了晶圓旋涂光刻膠時產生的風旋，提升了光刻膠膜厚均勻性；減少機臺因為光刻膠膜厚異常而導致的宕機，提高了產量。

附圖說明

圖1顯示為現有技術中光刻膠旋轉涂敷方式示意圖；

圖2顯示為現有技術中的風旋示意圖；

圖3顯示為在風旋影響下光刻膠膜厚截面(沿直徑)示意圖；

圖4顯示為現有技術中旋涂機轉速變化簡略示意圖；

圖5顯示為現有技術中旋涂機的轉速程序示意圖；

圖6顯示為本發明的旋涂機轉速變化意圖；