[發明專利]用于具有部分漏極側選擇柵極的存儲器設備的經改善的編程技術在審

申請號：	202210580036.6	申請日：	2022-05-25
公開（公告）號：	CN115910164A	公開（公告）日：	2023-04-04
發明（設計）人：	楊翔	申請（專利權）人：	桑迪士克科技有限責任公司
主分類號：	G11C16/08	分類號：	G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;H10B41/10;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35
代理公司：	北京紀凱知識產權代理有限公司 11245	代理人：	袁策;趙蓉民
地址：	美國德***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于具有部分漏極側選擇柵極存儲器設備改善編程技術
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【權利要求書】：

1.一種操作存儲器設備的方法，所述方法包括以下步驟：

制造包括多個存儲器孔的存儲器設備，第一組所述存儲器孔包括全SGD晶體管并且第二組所述存儲器孔包括一組所選擇的部分SGD晶體管和一組未選擇的部分SGD晶體管；

使所述一組未選擇的部分SGD晶體管中的第一未選擇的部分SGD晶體管電浮動；以及

在所述至少一個第一未選擇的部分SGD晶體管電浮動的情況下，減小施加到鄰近所述第一未選擇的部分SGD晶體管的至少一個晶體管或存儲器單元的電壓，使得所述第一未選擇的部分SGD晶體管的電壓通過電容耦合效應降低。

2.根據權利要求1所述的方法，其中減小施加到鄰近所述第一未選擇的部分SGD晶體管的至少一個晶體管或存儲器單元的所述電壓的所述步驟被進一步定義為減小施加到不存儲數據的虛設字線的存儲器單元的電壓。

3.根據權利要求1所述的方法，其中減小施加到鄰近所述第一未選擇的部分SGD晶體管的所述至少一個晶體管或存儲器單元的所述電壓的所述步驟被進一步定義為減小施加到所述一組未選擇的部分SGD晶體管的相鄰未選擇的部分SGD晶體管的電壓。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括使所述一組未選擇的部分SGD晶體管的第二未選擇的部分SGD晶體管電浮動的步驟。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一未選擇的部分SGD晶體管和所述第二未選擇的部分SGD晶體管彼此相鄰并且位于另一未選擇的部分SGD晶體管與虛設字線的存儲器單元之間。

6.根據權利要求5所述的方法，其中減小施加到至少一個晶體管或存儲器單元的所述電壓的所述步驟被進一步定義為減小施加到另一未選擇的部分SGD晶體管以及施加到所述虛設字線的所述存儲器單元的所述電壓，使得所述第一未選擇的部分SGD晶體管和所述第二未選擇的部分SGD晶體管兩者的所述電壓通過所述電容耦合效應降低。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟是編程操作的一部分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟是感測操作的一部分。

9.一種存儲器設備，所述存儲器設備包括：

多個存儲器孔，所述多個存儲器孔包括第一組存儲器孔和第二組存儲器孔，所述第一組存儲器孔包括全選擇柵極漏極，并且所述第二組存儲器孔包括一組未選擇的部分SGD晶體管和一組所選擇的部分SGD晶體管；

控制電路，所述控制電路與所述多個存儲器孔電連通，所述控制電路被配置為：

使所述一組未選擇的部分SGD晶體管中的第一未選擇的部分SGD晶體管電浮動；以及

在所述至少一個未選擇的部分SGD晶體管電浮動的情況下，減小施加到鄰近所述第一未選擇的部分SGD晶體管的至少一個晶體管或存儲器單元的電壓，使得所述第一未選擇的部分SGD晶體管的電壓通過電容耦合效應降低。

10.根據權利要求9所述的存儲器設備，其中鄰近所述第一未選擇的部分SGD晶體管的所述至少一個晶體管或存儲器單元是不存儲數據的虛設字線的存儲器單元。

11.根據權利要求9所述的存儲器設備，其中所述至少一個晶體管或存儲器單元是所述一組未選擇的部分SGD晶體管中的相鄰未選擇的部分SGD晶體管。

12.根據權利要求9所述的存儲器設備，其中所述控制電路被進一步配置為使所述一組未選擇的部分SGD晶體管的第二未選擇的部分SGD晶體管電浮動。

13.根據權利要求12所述的存儲器設備，其中所述第一未選擇的部分SGD晶體管和所述第二未選擇的部分SGD晶體管彼此相鄰并且位于另一未選擇的部分SGD晶體管與虛設字線的存儲器單元之間。

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