[發(fā)明專利]拋光系統(tǒng)、拋光墊以及半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210578502.7
• 申請(qǐng)日: 2022-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN115401601A
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安宰仁;金京煥;馬圣歡;徐章源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: SKC索密思株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B24B37/22
• 分類號(hào): B24B37/22;B24B37/24;B24B37/10;H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 成都超凡明遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51258
• 代理人: 趙瑞

1.一種拋光系統(tǒng)，其中，包括：

平板，上部安裝有拋光墊，以及

拋光墊，安裝于所述平板上；

所述拋光墊包括拋光面和作為所述拋光面的相反面的平板附著面，

所述平板附著面包括至少一個(gè)陰刻部，

所述平板包括至少一個(gè)陽刻部，

所述陽刻部和所述陰刻部為相互互補(bǔ)結(jié)合結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光系統(tǒng)，其中，

所述平板附著面包括至少兩個(gè)陰刻部，

對(duì)于至少兩個(gè)所述陰刻部中的任意第一陰刻部和第二陰刻部，當(dāng)將從各自的中心到所述平板附著面上所述拋光墊的中心的直線稱為第一直線和第二直線時(shí)，所述第一直線和所述第二直線所形成的內(nèi)角θ滿足以下第1式，

第1式：

-1cosθ1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的拋光系統(tǒng)，其中，

所述陰刻部的中心是二等分所述陰刻部的平面形狀的中心線上的中點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光系統(tǒng)，其中，

所述拋光墊包括：

拋光層，包括所述拋光面，以及

緩沖層，包括所述平板附著面；

所述陰刻部的深度D2與所述緩沖層的厚度D3和所述拋光墊的厚度D1滿足以下第2式的相關(guān)關(guān)系，

第2式：

D3＜D2＜D1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光系統(tǒng)，其中，

所述拋光墊包括：

拋光層，包括所述拋光面，以及

緩沖層，包括所述平板附著面；

所述拋光面包括深度比所述拋光層的厚度小的至少一個(gè)凹槽，

所述陰刻部的深度D2與所述拋光層的厚度D4、所述凹槽的深度d1以及所述拋光墊的厚度D1滿足以下第3式的相關(guān)關(guān)系，

第3式：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光系統(tǒng)，其中，

所述平板附著面包括中心區(qū)域和邊緣區(qū)域，

所述邊緣區(qū)域?yàn)閺乃銎桨甯街娴倪吘壪蛩鰭伖鈮|的中心的直線距離為第一直線距離R1的區(qū)域，

當(dāng)從所述平板附著面的邊緣到所述拋光墊的中心的直線距離為第二直線距離R2時(shí)，

所述第一直線距離R1與所述第二直線距離R2之比為0.2：1至0.5：1，

所述陰刻部位于所述邊緣區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光系統(tǒng)，其中，

所述拋光面包括兩個(gè)以上凹槽，

所述凹槽的深度為100μm至1500μm，寬度為100μm至1000μm，

相鄰的兩個(gè)凹槽之間的間距為2mm至70mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光系統(tǒng)，其中，還包括：

流體注入單元，用于根據(jù)需要在所述拋光面上施加流體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光系統(tǒng)，其中，還包括：

加壓?jiǎn)卧?psi至7psi的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述拋光墊對(duì)所述平板的加壓荷重。

10.一種拋光墊，其中，包括：

拋光面和作為所述拋光面的相反面的平板附著面；

所述平板附著面包括至少一個(gè)陰刻部，

所述陰刻部與通過所述平板附著面安裝的平板上的陽刻部具有互補(bǔ)結(jié)合結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊，其中，包括：

拋光層，包括所述拋光面，以及

緩沖層，包括所述平板附著面；

所述陰刻部的深度D2與所述緩沖層的厚度D3和所述拋光墊的厚度D1滿足以下第2式的相關(guān)關(guān)系，

第2式：

D3＜D2＜D1。