[發明專利]一種高頻濾波器芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 202210577661.5 | 申請日： | 2022-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN114978102A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 董波;雷亮 | 申請（專利權）人： | 深圳技術大學 |
| 主分類號： | H03H9/64 | 分類號： | H03H9/64;H03H9/145;H03H9/02;H03H3/10 |
| 代理公司： | 深圳尚業知識產權代理事務所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 楊勇 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高頻 濾波器 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種高頻濾波器，其特征在于，包括：基底層、第一金剛石膜層、第一壓電薄膜層、第二壓電薄膜層、第二金剛石膜層、插指換能器和反射柵，其中，插指換能器和反射柵內嵌于第一壓電薄膜層和第二壓電膜層的中間，插指換能器的信號電極和接地電極在第一壓電薄膜層和第二壓電薄膜層的外端。
2.根據權利要求1所述的高頻濾波器，其特征在于，基底層為硅或二氧化硅。
3.根據權利要求1所述的高頻濾波器，其特征在于，第一金剛石膜層和第二金剛石膜層的厚度為1～3um。
4.根據權利要求1所述的高頻濾波器，其特征在于，第一壓電薄膜層和第二壓電薄膜層為AlN、ZnO、鉭酸鋰或者AlN、ZnO和鉭酸鋰的復合材料，厚度為1.5～3um。
5.根據權利要求1所述的高頻濾波器，其特征在于，叉指換能器的對數左右各為50～100對，反射柵的對數左右各為100～200對，插值間距和寬度以及反射柵的寬度以及間隔各設置為0.8～1.5um。
6.一種高頻濾波器的制備方法，其特征在于，包括：
在基底層鍍第一金剛石膜層，在第一金剛石膜層上鍍第一壓電薄膜層；
利用預設的第一掩膜板在壓電薄膜層上進行光刻、刻蝕得到插指換能器結構和反射柵結構，并在插指換能器結構和反射柵結構上鍍電極層；
利用第二掩模版遮擋除插指換能器兩端的信號電極和接地電極以外的結構后鍍第二壓電薄膜層使得信號電極和接地電極在第一壓電膜和第二壓電膜的外端，便于封裝引線信號線和地線；
利用第二掩模版在第二壓電膜層上遮擋除插指換能器兩端的信號電極和接地電極以外的結構后鍍第二金剛石膜層。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，第一金剛石膜層和第二金剛石膜層的厚度為1～3um。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，第一壓電薄膜層和第二壓電薄膜層為AlN、ZnO、鉭酸鋰或者AlN、ZnO和鉭酸鋰的復合材料，厚度為1.5～3um。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在插指換能器結構和反射柵結構上鍍電極膜為Al、Pt、Au或Al、Pt和Au的復合材料，厚度為100～200nm。
10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，叉指換能器的對數左右各為50～100對，反射柵的對數左右各為100～200對，插值間距和寬度以及反射柵的寬度以及間隔各設置為0.8～1.5um。
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