[發明專利]一種高純銅靶材及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 202210574420.5
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN114892135B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;周友平;余婷;陳勇軍
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22F1/08;B21J5/00
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 韓承志

1.一種高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述高純銅靶材的制備方法包括如下步驟：

將高純銅錠依次經過第一熱鍛、第一熱處理、第二熱鍛、第二熱處理、靜壓和冷軋，得到高純銅靶材；

所述第一熱處理的溫度為200-400℃，時間為10-60min；

在所述第一熱處理之后，所述第二熱鍛之前，進行第一冷卻；所述第一冷卻的方式為水冷；

所述第二熱處理的溫度為200-400℃，時間為10-60min；

在所述第二熱處理之后，所述第二熱鍛之前，進行第二冷卻；所述第二冷卻的方式為水冷；

所述靜壓的溫度為10-30℃，下壓量為40-80%。

2.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述第一熱鍛的溫度為700-900℃。

3.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述第一熱鍛的鍛造比為1.5-2.5。

4.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述第二熱鍛的溫度為700-900℃。

5.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述第二熱鍛的鍛造比為1.5-2.5。

6.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述冷軋的變形量為70-85%。

7.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述冷軋時，每道次下壓量2-10mm。

8.根據權利要求1所述高純銅靶材的制備方法，其特征在于，所述高純銅靶材的制備方法包括如下步驟：

將高純銅錠在700-900℃進行第一熱鍛，控制第一熱鍛的鍛造比為1.5-2.5；在200-400℃第一熱處理10-60min后進行水冷；在700-900℃進行第二熱鍛，控制第二熱鍛的鍛造比為1.5-2.5；在200-400℃第二熱處理10-60min后進行水冷；在10-30℃進行靜壓，控制靜壓下壓量為40-80%；而后進行冷軋，控制冷軋時每道次下壓量2-10mm、冷軋的變形量為70-85%，得到高純銅靶材。

9.一種采用權利要求1-8任一項所述高純銅靶材的制備方法得到的高純銅靶材，其特征在于，所述高純銅靶材為不完全再結晶的高純銅靶材，其再結晶度為20-40%。

10.一種權利要求9所述高純銅靶材的應用，其特征在于，所述高純銅靶材用于濺射鍍膜。