[發明專利]蝕刻液組合物及其制備方法在審
| 申請號: | 202210574335.9 | 申請日: | 2022-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN115386378A | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發明(設計)人: | 金泰鎬;吳正植;金起瑩;李明鎬;宋明根 | 申請(專利權)人: | 易安愛富科技有限公司 |
| 主分類號: | C09K13/08 | 分類號: | C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司: | 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258 | 代理人: | 宋東穎 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 組合 及其 制備 方法 | ||
1.一種蝕刻液組合物,包括:
氟化合物;
硫酸;
亞硝基硫酸;以及
硅化合物。
2.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
所述氟化合物包括氫氟酸、氟化氫銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化鋁、氟硼酸、氟化銨、氟化氫鈉、氟化氫鉀及四氟硼酸銨中的一種以上。
3.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
所述硅化合物的分子具有1個或2個Si。
4.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
所述硅化合物包括化學式1、化學式2或化學式3的化合物:
[化學式1]
[化學式2]
在化學式1及化學式2中,
R1至R3各自獨立地為氫、羥基、氰基、取代或未取代的C1-10烷基、C2-10烯基、C1-10氨基烷基、C1-10烷氧基或鹵素元素,所述烷基為直鏈狀、支鏈狀或環狀,具有或不具有鹵素元素或CH3的取代基,
R4為單鍵或取代或未取代的C1-10烷基、C2-10烯基、C1-10氨基烷基、C1-10烷氧基,所述烷基為直鏈狀、支鏈狀或環狀,具有或不具有鹵素元素或CH3的取代基,
L為1或2;
[化學式3]
在化學式3中,
R5為銨,
R6為鹵素元素,
a為2,
b為6。
5.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
所述硅化合物包括硅酸、六氟硅酸銨、二氯二甲基硅烷、甲基三氯硅烷、四氯化硅、氯(甲基)苯基硅烷、氯-二甲基(3,3,3-三氟丙基)硅烷、氯(二甲基)叔己基硅烷、氯(二甲基)乙烯基硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷、六氯乙硅烷及五氯二硅烷中的一種以上。
6.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
還包括無機酸或其鹽,
所述無機酸或其鹽不是氟化合物、硫酸及硅化合物。
7.根據權利要求6所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
所述無機酸包括硝酸、磷酸及鹽酸中的一種以上。
8.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物,其特征在于,
對于氧化硅膜的硅蝕刻選擇比為60以上。
9.一種蝕刻液組合物的制備方法,其特征在于,
包括將0.3至30重量%的氟化合物、50至95重量%的硫酸、1至30重量%的亞硝基硫酸、0.01至5重量%的硅化合物、以及使組合物總重量成為100重量%的余量的水進行混合的步驟。
10.根據權利要求9所述的蝕刻液組合物的制備方法,其特征在于,
還包括0.1至10重量%的無機酸或其鹽,
所述無機酸或其鹽不是氟化合物、硫酸及硅化合物。
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