[發明專利]確定掩模規則檢查違規和掩模設計在審
| 申請號: | 202210573051.8 | 申請日: | 2022-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN115390358A | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發明(設計)人: | 彭星月;拉斐爾·C·豪厄爾;盧彥文;陳曉瑞 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/84 | 分類號: | G03F1/84;G03F1/72;G03F1/36;G03F1/38 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 確定 規則 檢查 違規 設計 | ||
1.一種掩模規則檢查方法,包括:
獲得具有與掩模規則檢查相對應的幾何性質的非圓形檢測器,所述非圓形檢測器被配置為包括用于檢測曲率違規的彎曲部分、封閉區域、垂直于所述彎曲部分的取向軸線以及用以檢測臨界尺寸違規的沿所述取向軸線的長度;
將所述取向軸線與掩模特征上的位置的規定軸線對準,以使所述非圓形檢測器的所述長度沿所述掩模特征的所述規定軸線延伸;以及
基于所對準的非圓形檢測器和所述掩模特征,識別與所述掩模特征的與所述封閉區域相交的區域對應的掩模規則檢查違規,其中所述非圓形檢測器的所述對準和幾何形狀使所述檢測器與掩模特征的所述區域相交以識別違規。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述非圓形檢測器具有至少第一彎曲部分和第二彎曲部分,其中所述第一彎曲部分具有第一曲率半徑,其中所述第二彎曲部分具有第二曲率半徑,并且其中所述第一半徑不同于所述第二半徑。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述非圓形檢測器被配置為具有橢圓形狀,所述橢圓形狀具有被配置為檢測曲率違規的曲率半徑以及被配置為檢測臨界尺寸違規的沿取向軸線的長度。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述非圓形檢測器的獲得包括:
根據可制造性規則接收基于所述掩模特征的曲率和/或特征尺寸限定的所述檢測器。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述非圓形檢測器的所述彎曲部分具有與所述掩模特征的尖端部分的曲率以及根據可制造性規則的所述掩模特征的最小尺寸相對應的形狀和尺寸。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述識別包括:
基于所述非圓形檢測器與所述掩模特征在單個位置處的所述相交,確定包括曲率違規和臨界尺寸違規的掩模規則檢查違規;或者
基于至少兩個掩模特征之間在單個位置處的相交,確定與曲率違規和空間違規相關聯的掩模規則檢查違規。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述檢測器的獲得包括:
獲得所述檢測器沿所述取向軸線的所述長度,所述長度是在延伸所述取向軸線時所述取向軸線與所述檢測器的邊界的相交點之間的距離。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述規定軸線與所述掩模特征上的所述位置的法向軸線對應,其中對準所述取向軸線包括:
確定所述掩模特征的所述位置處的所述法向軸線;
使所述非圓形檢測器的邊緣與所述位置處的所述特征的邊緣接觸;以及
將所述非圓形檢測器的所述取向軸線沿所述特征的所述位置處的所述法向軸線取向。
9.根據權利要求1所述的方法,其中識別所述掩模規則檢查違規包括:
在維持所述非圓形檢測器的所述取向軸線與所述掩模特征的每個位置的法向軸線對準的同時,通過沿所述掩模特征的邊緣移動非圓形檢測器來確定所述掩模規則檢查違規。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述非圓形檢測器的所述獲得包括:
從檢測器庫訪問所述非圓形檢測器以確定所述掩模特征的掩模規則檢查違規,其中所述檢測器庫包括多個不同的非圓形檢測器。
11.根據權利要求1所述的方法,還包括:
基于所述非圓形檢測器,執行掩模設計以確定所述掩模設計的掩模特征的形狀和尺寸,其中所述掩模設計的執行包括:
(a)使用設計布局,模擬掩模優化過程以確定所述掩模設計的所述掩模特征,所述設計布局與要在半導體芯片上印刷的特征對應;
(b)經由所述非圓形檢測器,確定所述掩模特征的違反所述掩模規則檢查的部分;以及
(c)響應于違反所述掩模規則檢查,修改所述掩模特征的所述對應部分以滿足所述掩模規則檢查;以及重復步驟(a)至(c)。
12.根據權利要求1所述的方法,所述掩模優化過程包括:掩模優化過程、源掩模優化過程和/或光學鄰近校正過程。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





