[發明專利]一種芯片封裝方法以及裝置

在審

• 申請號: 202210571151.7
• 申請日: 2022-05-24
• 公開（公告）號: CN115148613A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 王俊明;許諾;臧金良;劉立濱;汪震海;張淮
• 申請（專利權）人: 北京機械設備研究所
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/16
• 代理公司: 北京云科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11483
• 代理人: 張飆

1.一種芯片封裝方法，其特征在于，所述方法包括：

加工制作芯片的功能層，生成待封裝芯片；

在玻璃頂蓋的下層涂抹預設寬度的固化膠，并將涂抹有固化膠的玻璃頂蓋在水下環境與所述待封裝芯片貼合；

基于預設參數的紫外光照射所述固化膠以使所述固化膠固化，完成所述待封裝芯片的封裝。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在襯底材料上基于濺射、蒸發、電鍍中的一種或多種工藝沉淀第一導電層，并基于剝離、光刻與干法刻蝕、光刻與濕法刻蝕中的一種或多種工藝對所述第一導電層進行圖形化處理；

基于化學氣相淀積、物理氣相淀積、旋涂工藝中的一種或多種工藝在完成圖形化處理的第一導電層上淀積第一介質層，基于光刻工藝對所述第一介質層進行圖形化處理，基于濕法和干法刻蝕、光刻中的一種或多種工藝在完成圖形化處理的第一介質層制作接觸孔；

在包括接觸孔的第一介質層上基于濺射、蒸發、電鍍中的一種或多種工藝沉淀第二導電層，并基于剝離、光刻與干法刻蝕、光刻與濕法刻蝕中的一種或多種工藝對所述第二導電層進行圖形化處理；

基于化學氣相淀積、物理氣相淀積、旋涂工藝中的一種或多種工藝在完成圖形化處理的第二導電層上淀積第二介質層，并在所述第二介質層上基于旋涂、掛涂、熱蒸發中的一種或多種工藝淀積表面疏水化層；

將所述表面疏水化層氧化處理后，在所述表面疏水化層上基于旋涂工藝制備親水格柵，并進行灌油處理，完成待封裝芯片的加工制作。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述玻璃頂蓋與所述待封裝芯片的待封裝區域尺寸相同，且所述玻璃頂蓋的下層包含金屬層。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述玻璃頂蓋的金屬層下層還包括支撐層，所述支撐層用于在所述玻璃頂蓋與所述待封裝芯片貼合時與所述待封裝芯片接觸支撐所述玻璃頂蓋，使所述玻璃頂蓋與所述待封裝芯片間保持預設間距。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在玻璃頂蓋的金屬層下層的支撐層內側涂抹預設寬度的固化膠，并將涂抹有固化膠的玻璃頂蓋在水下環境與所述待封裝芯片貼合。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在玻璃頂蓋的下層涂抹預設寬度的固化膠，并將涂抹有固化膠的玻璃頂蓋與所述待封裝芯片在水中完成貼合。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述固化膠粘度為1500～2500cps，耐溫性：-20℃～125℃；

所述紫外光的預設參數為波長365～438nm紫外光。

8.一種芯片封裝裝置，其特征在于，所述裝置包括：

待封裝芯片生成模塊，用于加工制作芯片的功能層，生成待封裝芯片；

貼合封裝模塊，用于在玻璃頂蓋的下層涂抹預設寬度的固化膠，并將涂抹有固化膠的玻璃頂蓋在水下環境與所述待封裝芯片貼合；

固化封裝模塊，用于基于預設參數的紫外光照射所述固化膠以使所述固化膠固化，完成所述待封裝芯片的封裝。

9.一種電子設備，其特征在于，包括

處理器；以及

存儲器，所述存儲器上存儲有計算機可讀指令，所述計算機可讀指令被所述處理器執行時實現根據權利要求1至7中任一項所述的方法。

10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現根據權利要求1至7中任一項所述方法。