[發明專利]一種非晶難熔高熵合金涂層及其制備方法在審
| 申請號： | 202210571023.2 | 申請日： | 2022-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN115044870A | 公開（公告）日： | 2022-09-13 |
| 發明（設計）人： | 王亞強;丁佳琪;張金鈺;吳凱;劉剛;孫軍 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C23C14/16 | 分類號： | C23C14/16;C23C14/35;C22C45/10 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 非晶難熔高熵 合金 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.一種非晶難熔高熵合金涂層，其特征在于，該合金涂層的化學成分為TaWMoCrZr，組織結構為完全無序非晶態。
2.根據權利要求1所述的一種非晶難熔高熵合金涂層，，其特征在于，所述TaWMoCrZr非晶難熔高熵合金涂層，Ta、W、Mo、Cr四種元素原子百分數之比為1:1:1:1，Zr元素的原子百分數為23.2～41.3at.％。
3.根據權利要求1所述的一種非晶難熔高熵合金涂層，其特征在于，涂層厚度為3.5～5μm。
4.根據權利要求1所述的一種非晶難熔高熵合金涂層，，其特征在于，所述TaWMoCrZr非晶高熵合金涂層的納米壓痕硬度為10～11GPa，楊氏模量為118～136GPa。
5.一種權利要求1-4任一項所述的非晶難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、采用磁控濺射共濺射方法在基體上制備TaWMoCrZr非晶難熔高熵合金涂層，濺射方法如下：
采用TaWMoCr合金靶和Zr靶進行共濺射，TaWMoCr合金靶的直流功率為100W，所述Zr靶的射頻功率100～200W；
步驟2、將基體冷卻至室溫得到TaWMoCrZr非晶難熔高熵合金涂層。
6.根據權利要求5所述的非晶難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，所述TaWMoCr原子百分比為Ta:W:Mo:Cr＝29:29:23:19at.％。
7.根據權利要求5所述的非晶難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，步驟1中采用兩個TaWMoCr合金靶進行和一個Zr靶共濺射。
8.根據權利要求5所述的非晶難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，步驟1制備TaWMoCrZr非晶難熔高熵合金涂層時，沉積氣壓0.3Pa，基盤轉速15r/min，沉積時間18800秒。
9.根據權利要求5所述的非晶難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，在步驟1前對基體進行清洗和真空刻蝕。
10.根據權利要求5所述的非晶難熔高熵合金涂層的制備方法，其特征在于，所述基體為鋼基體或單晶硅基體。
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